LTC1735
应用S我FOR ATIO
C
IN
选择
在连续模式下，顶部的电源电流
N沟道MOSFET是方波的占空比V
OUT
/
V
IN
。为了防止大的瞬态电压，低ESR的输入
尺寸电容RMS电流的最大值必须是
使用。最大RMS电容器的电流由下式给出：
V
OUT
V
IN
I
RMS
I
O（ MAX）
– 1
V
IN
V
OUT
1/ 2
该式具有最大值在V
IN
= 2V
OUT
，其中，
I
RMS
= I
O（最大值）
/ 2 。这个简单的最坏的情况是的COM
常用的设计，因为即使是显著的偏差做
没有提供多少援助。需要注意的是电容制造商
额定纹波电流通常是基于只有2000个小时的
生活。这使得它建议进一步减免电容器或
选择额定温度高于电容器
所需。几个电容器也可并联以满足
在设计尺寸和高度的要求。始终咨询
制造商如果有任何问题。
C
OUT
选择
C的选择
OUT
主要是由所确定的
有效串联电阻（ESR ），以最小化电压
纹波。输出纹波（ΔV
OUT
）在连续模式下是
由下式确定：
1
V
OUT
≈
I
L
ESR
+
8 FC
OUT
其中f =工作频率，C
OUT
=输出电容
tance和
I
L
=在电感纹波电流。输出
纹波是最高的，因为最大输入电压
I
L
增加了与输入电压。典型地，一旦血沉
对于C要求
OUT
得到了满足， RMS电流
评级一般远远超过了我
波纹（峰 - 峰值）
要求。
同
I
L
= 0.3I
输出（最大）
并允许由于纹波的三分之二
到ESR输出纹波会比在50mV的MAX V少
IN
假设：
C
OUT
所需的ESR < 2.2
SENSE
C
OUT
> 1 /（ 8FR
SENSE
)
14
U
第一个条件涉及的脉动电流到ESR的
输出电容，而第二项瓜拉尼的
开杆，该输出电容不显著
在工作频率期间放电，由于
纹波电流。使用较小输出的选择电容
tance增加，由于纹波电压到放电
术语，但是可以通过使用电容器来补偿对
非常低的ESR ，以保持纹波电压等于或低于
为50mV 。在我
TH
脚OPTI- LOOP补偿康波
堂费可以被优化，以提供稳定的，高perfor-
不管输出电容曼斯瞬态响应
选择器。
输出电容为CPU或其它应用程序的选择
阳离子与大负载电流瞬变主要是
通过的电压容差规格确定
负载。电容器的电阻性分量，血沉，
乘以负载电流变化加上任何输出
纹波电压必须在的电压容差
负荷（CPU）。
由于负载电流的步骤所需的ESR为：
R
ESR
＆ LT ;
ΔV / ΔI
哪里
I
是在当前的变化从满负荷到零负载
（或最小负载）和
V
在允许的电压偏差
（不包括任何下垂是由于无限电容） 。
所需的电容的量由确定
存储在电感中的最大能量。电容
必须足以吸收在电感器电流中的变化
当以低电流转换的高电流发生。该
相对负载电流转变一般是通过测定
控制回路OPTI- LOOP成分，所以一定要确保
不要过度补偿，减缓反应。该
保证电感的能量最小电容
充分吸收是：
L(
I)
2
C
OUT
＆ GT ;
2(
V)V
OUT
哪里
I
是在负载电流中的变化。
制造商，如尼吉康，美贵弥功和
三洋也算是高性能吞吐量
孔电容器。该OS- CON半导体电解质
1735fc
W
U
U
