BA4558xxx ， BA4558Rxxx
数据表
●
功耗
功耗（总损耗）表示可以通过集成电路在Ta被消耗掉的功率= 25℃ （常温） 。 IC加热
当它消耗的功率，和IC芯片的温度比周围温度高。该温度
可以通过IC芯片被接受取决于电路结构，制造工艺，和消耗的功率是有限的。
功耗由在IC芯片（最大结点温度）和热使温度确定
封装（散热能力）的阻力。最大结温度通常等于最大
在存储温度范围值。由集成电路所消耗的功率产生的热量从模制树脂或引线辐射
包的帧。这表示在此散热性（热释放的硬度）的参数被称为
热敏电阻，用符号表示的
θJA ℃ / W.The
温度IC的封装内可以通过此来估计
热阻。图50 （ a）示出了封装的热电阻的模型。热电阻
θJA ，
环境
温度Ta ，结温Tj和功耗的Pd ，可以计算由下式：
θJA
= （ TJMAX - Ta）的/钯
℃/W
(Ⅰ)
在图50 （二）衰减曲线表明功率能够由集成电路所消耗，参照环境温度。力量
可以通过集成电路被消耗，参照环境温度。功率可以由集成电路所消耗开始衰减时
某些环境温度。这种梯度是通过热敏电阻来确定
θJA 。
热阻
θJA
取决于
芯片尺寸，功耗，封装，环境温度，封装条件，风速等即使在相同的
包被使用。热还原曲线表示在特定条件下测得的参考值。图51 （三） ， （四）展会
一降额曲线BA4558 ， BA4558R的例子。
动力
LSI
の 消 費 電 力
[W]
[W]
LSI的功耗
加入Pd（最大）
P2
θja2
＆ LT ;
θja1
θJA = （ TJMAX - Ta）的/钯
℃/W
周囲温度
TA [
℃
]
环境温度TA [ ℃ ]
P1
θ'
ja2
θ
ja2
TJ ' （最大） Tj max的
θ'
ja1
θ
ja1
75
100
125
150
芯片表面温度TJ [ ℃ ]
チップ 表面温度
TJ [
℃
]
功耗P [ W]
消费电力P [ W]
0
25
50
环境
周 囲 温 度
TA [
℃
]
[℃]
温度Ta
（一）热电阻
（二）降额曲线
图。 50Thermal性和降额曲线
1000
*
1000
BA4558RF （11）
功率耗散[毫瓦]
.
功率耗散[毫瓦]
.
800
800
BA4558RFJ （12）
*
BA4558F （11）
*
*
600
BA4558FJ （12）
BA4558FV / FVT （ 13 ）
BA4558FVM （14）
*
*
600
BA4558RFV / FVT （ 13 ）
BA4558RFVM （14）
*
*
400
400
200
200
0
0
25
50
75
100
环境温度[
℃
]
.
125
0
0
25
50
75
100
环境温度[
℃
]
.
125
(c)BA4558
(d)BA4558R
(*11)
5.52
(*12)
5.4
(*13)
5
(*14)
4.7
单位
毫瓦/ °
当使用本机上面TA = 25 ℃ ，减去上述每度℃的价值。允许的耗散值。
允许的耗散值时， FR4玻璃环氧树脂板70毫米X30 70毫米X30 1.6毫米（低于3 ％库珀箔区）安装。
图。 51降额曲线
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