位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第0页 > A3PN030ZQNG100I > A3PN030ZQNG100I PDF资料 > A3PN030ZQNG100I PDF资料1第52页
纳米的ProASIC3 DC和开关特性
I / O寄存器规格
正式注册的I / O缓冲器，具有同步启用和
异步预置
INBUF
预设
L
拉长
D
DOUT
DATA_OUT
PRE
C
D
Q
DFN1E1P1
E
B
H
A
I
J
K
数据输入I / O寄存器有：
高电平有效使能
高电平有效预置
正边沿触发
PRE
D
Q
DFN1E1P1
E
数据
E
Y
CORE
ARRAY
F
G
PRE
D
Q
DFN1E1P1
E
EOUT
TRIBUF
INBUF
INBUF
启用
CLKBUF
CLK
CLKBUF
INBUF
INBUF
数据输出寄存器和
使能输出寄存器有：
高电平有效使能
高电平有效预置
阳性边沿触发
CLK
图2-10
已注册的I / O缓冲器，具有同步的时序模型启用和异步预置
2- 38
EV我SIO N + 1 1
D_Enable
启用
