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纳米的ProASIC3 DC和开关特性
时序特性
表2-46
1.8 V LVCMOS摆低
商业案例的条件：T已
J
= 70 ° C，最差情况下的VCC = 1.425 V，最差情况下的VCCI = 1.7 V
软件默认的负载在35 pF对于A3PN060 ， A3PN125 ， A3PN250
DRIVE
实力
2毫安
速度
GRADE
标准。
–1
–2
4毫安
标准。
–1
–2
t
DOUT
0.60
0.51
0.45
0.60
0.51
0.45
t
DP
15.36
13.07
11.47
10.32
8.78
7.71
t
DIN
0.04
0.04
0.03
0.04
0.04
0.03
t
PY
1.35
1.15
1.01
1.35
1.15
1.01
t
PYS
1.90
1.61
1.42
1.90
1.61
1.42
t
EOUT
0.43
0.36
0.32
0.43
0.36
0.32
t
ZL
13.46
11.45
10.05
9.92
8.44
7.41
t
ZH
15.36
13.07
11.47
10.32
8.78
7.71
t
LZ
2.23
1.90
1.67
2.63
2.23
1.96
t
HZ
1.78
1.51
1.33
2.78
2.37
2.08
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意：
对于具体的结点温度和电源电压电平，参见
表2-6 2-5页
为降额值。
表2-47
1.8 V LVCMOS高转换
商业案例的条件：T已
J
= 70 ° C，最差情况下的VCC = 1.425 V，最差情况下的VCCI = 1.7 V
软件默认的负载在35 pF对于A3PN060 ， A3PN125 ， A3PN250
DRIVE
实力
2毫安
速度
GRADE
标准。
–1
–2
4毫安
标准。
–1
–2
注意事项：
灰色1.软件默认选择高亮显示。
2.对于具体的结点温度和电源电压电平，参见
表2-6 2-5页
为降额值。
t
DOUT
0.60
0.51
0.45
0.60
0.51
0.45
t
DP
11.42
9.71
8.53
6.53
5.56
4.88
t
DIN
0.04
0.04
0.03
0.04
0.04
0.03
t
PY
1.35
1.15
1.01
1.35
1.15
1.01
t
PYS
1.90
1.61
1.42
1.90
1.61
1.42
t
EOUT
0.43
0.36
0.32
0.43
0.36
0.32
t
ZL
8.65
7.36
6.46
5.53
4.70
4.13
t
ZH
11.42
9.71
8.53
6.53
5.56
4.88
t
LZ
2.23
1.89
1.66
2.62
2.23
1.96
t
HZ
1.84
1.57
1.37
2.89
2.45
2.15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2- 34
EV我SIO N + 1 1
