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纳米的ProASIC3快闪FPGA
详细的I / O直流特性
表2-20
输入电容
符号
C
IN
C
INCLK
德网络nition
输入电容
上的时钟管脚输入电容
条件
VIN = 0 ， F = 1.0 MHz的
VIN = 0 ， F = 1.0 MHz的
分钟。
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
表2-21
I / O输出缓冲区的最大阻力
1
标准
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
驱动强度
2毫安
4毫安
6毫安
8毫安
3.3 V LVCMOS宽范围
2.5 V LVCMOS
100 A
2毫安
4毫安
6毫安
8毫安
1.8 V LVCMOS
1.5 V LVCMOS
注意事项：
提供1。这些最大值仅用于提供信息的理由。最小输出缓冲性
值取决于VCCI ，驱动强度，温度和工艺。对于电路板设计
考虑和详细的输出缓冲电阻，使用相应的IBIS模型，位于
http://www.microsemi.com/soc/download/ibis/default.aspx 。
2. R
（ PULL - DOWN- MAX ）
= （ VOLspec ） / IOLspec
3. R
（ PULL - UP- MAX ）
= （ VCCImax - VOHspec ） / IOHspec
R
下拉
()
2
100
100
50
50
R
引体向上
()
3
300
300
150
150
同样等同
软件默认驱动器
100
100
50
50
200
100
200
200
200
100
100
225
112
224
2毫安
4毫安
2毫安
表2-22
I / O弱上拉/下拉阻力
最小和最大的弱上拉/下拉电阻值
R
（弱上拉） 1
()
VCCI
3.3 V
3.3 V （广泛的I / O ）
2.5 V
1.8 V
1.5 V
注意事项：
1. R
（弱上拉-MAX ）
= （ VCCImax - VOHspec ） / I
（弱上拉-MIN ）
2. R
（弱下拉-MAX ）
= （ VOLspec ） / I
（弱下拉-MIN ）
R
（弱下拉） 2
()
分钟。
10 K
10 K
12 K
17 K
19 K
马克斯。
45 K
45 K
74 K
110 K
140 K
分钟。
10 K
10 K
11 K
18 K
19 K
马克斯。
45 K
45 K
55 K
70 K
90 K
EV我SI O 4 N 1 1
2- 19
