LE25U20AMB
特定网络阳离子
绝对最大额定值
参数
最大电源电压
直流电压（所有引脚）
储存温度
符号
VDDMAX
VIN / VOUT
TSTG
相对于VSS
相对于VSS
条件
评级
-0.5到+4.6
-0.5 VDD + 0.5
-55到+150
单位
V
V
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。推荐工作上面的功能操作
条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会影响器件的可靠性。
工作条件
参数
工作电源电压
工作环境温度
符号
VDD
TOPR
条件
评级
2.30至3.60
-40到85
单位
V
°C
允许直流工作条件
参数
阅读模式下工作电流
符号
ICCR
条件
民
CS = 0.1VDD ，HOLD = WP = 0.9VDD
SI = 0.1VDD / 0.9VDD时， SO =开
工作频率= 30MHz的，
写模式工作电流
（擦除+页编程）
CMOS待机电流
ISB
ICCW
VDD = VDD最大值
VDD = VDD最大值， TSSE = 40毫秒，
TSE = 80毫秒， TCHE = 160ms时，
tPP=5.0ms
CS = HOLD = WP = VDD ，
SI = VSS / VDD ， SO =开，
VDD = VDD最大值
CS = HOLD = WP = VDD ，
SI = VSS / VDD ， SO =开，
VDD = VDD最大值
VIN = VSS至VDD ， VDD = VDD最大值
VIN = VSS至VDD ， VDD = VDD最大值
VDD = VDD最大值
VDD = VDD分钟
IOL = 100A ， VDD = VDD分钟
IOL = 1.6毫安， VDD = VDD分钟
输出高电压
VOH
IOH = -100A ， VDD = VDD分钟
VCC-0.2
-0.3
0.7VDD
50
μA
15
mA
评级
典型值
最大
单位
6
mA
省电待机电流
IDSB
10
2
2
0.3VDD
VDD+0.3
0.2
0.4
μA
μA
μA
V
V
V
V
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
ILI
国际劳工组织
VIL
VIH
VOL
电源接通定时
参数
时间从上电到读操作
从上电时间写操作
掉电时
掉电电压
tPU_READ
tPU_WRITE
tPD的
VBOT
符号
民
100
10
10
0.2
评级
最大
μs
ms
ms
V
单位
引脚电容
在Ta = 25C ， F = 1MHz的
参数
输出引脚电容
输入引脚电容
符号
干熄焦
CIN
VDQ=0V
VIN=0V
条件
评级
最大
12
6
pF
pF
单位
注意：这些参数值不表示的已针对所有的设备，而是值的测定结果
对于一些采样装置。
No.A2097-16/21
