订购数量： ENA2097
LE25U20AMB
CMOS IC
2M位（ 256K × 8 ）
串行闪存
概观
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该LE25U20AMB是具有256K的串行接口兼容的快闪存储器装置
×
8位配置。它使用了
单2.5V电源供电。同时最大的特征固有的串行闪存设备，所述
LE25U20AMB坐落在一个8引脚超小型封装。这些特性使该器件非常适合于
存储程序代码的应用，例如便携式信息设备，其中要求具有日益
更紧凑的尺寸。而且，通过使用小扇区擦除函数此产品也适用于
参数或日期存储使用与相对较少的重写倍，成为产能短缺
EEPROM 。
特点
阅读由单一2.5V电源开启/写操作： 2.30至3.60V电源电压范围
工作频率
： 30MHz的
温度范围
： -40 85C
串行接口
： SPI模式0 ，模式3支持
扇区大小
： 4K字节/小部门， 64K字节/扇区
小扇区擦除，扇区擦除，芯片擦除功能
页编程功能（ 256字节/页）
块保护功能
状态函数
：就绪/忙信息，保护信息
高度可靠的读取/写入
的重写次数： 10万次
小扇区擦除时间： 40毫秒， 150毫秒（最大） （典型值）。
扇区擦除时间
： 80毫秒， 250毫秒（最大） （典型值）。
芯片擦除时间
： 250毫秒， 1.6秒（最大） （典型值）。
页编程时间
： 4.0ms / 256字节（典型值） ， 5.0ms / 256字节（最大）
数据保存期
：20年
包
： SOP8K （ 200mil ）
*本产品由硅存储技术公司（美国）许可。
半导体元件工业有限责任公司， 2013
七月， 2013
72512 SY 20120426 - S00004 No.A2097-1 / 21
