LE25U20AMB
3.写使能
在执行下面列出的任何操作，则该设备必须被放置在写使能状态。操作
在相同设置状态寄存器闻到"1" ，国家通过输入写使能命令启用。
"Figure 8写Enable"给出了时序波形时，写使能进行操作。写使能
命令仅由所述第一总线周期的，并且它是通过输入（ 06h中）启动。
小扇区擦除，扇区擦除，芯片擦除
页编程
状态寄存器写
4.写禁止
写禁止命令设置状态寄存器闻到"0"禁止无心写作。 "Figure 9写Disable"
显示了时序波形。写禁止命令仅由所述第一总线周期的，并且它是由发起
输入（ 04H ） 。写禁止状态（温"0" ）是通过使用写使能命令设定温至"1"退出
(06h).
图8写使能
CS
Mode3
SCK
Mode0
8CLK
SI
06h
SI
CS
图9写禁止
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
Mode3
Mode0
0 1 2 3 4 5 6 7
8CLK
04h
SO
高阻抗
SO
高阻抗
5.掉电
掉电命令设置的所有命令，除硅ID的读取命令和
命令从掉电，以接受禁止状态（断电）退出。 "Figure 10电down"节目
时序波形。断电命令仅由所述第一总线周期的，并且它是通过输入启动
（ B9H ） 。然而，一个内部写操作期间发出的功率降低命令将被忽略。掉电
国家用断电exit命令退出（掉电也退出当一个总线周期以上的
硅ID读指令（ ABH ）已输入） 。 "Figure 11日电down"退出显示的时序波形
掉电exit命令。
图10掉电
掉电
模式
CS
TDP
Mode3
SCK
Mode0
8CLK
SI
B9h
SI
0 1 2 3 4 5 6 7
SCK
Mode3
Mode0
8CLK
ABH
0 1 2 3 4 5 6 7
CS
贸易政策审议机构
图11从掉电退出
掉电
模式
SO
高阻抗
SO
高阻抗
No.A2097-10/21
