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恩智浦半导体
PSMN075-100MSE
N沟道100伏71 mΩ的标准电平MOSFET在LFPAK33设计
专门针对PoE应用
10
003aak723
V
DS
I
D
V
GS （ PL ）
V
GS （ TH）
V
GS
Q
GS1
Q
GS2
Q
GD
Q
G（ TOT ）
003aaa508
V
GS
(V)
8
V
GS
= 20 V
80 V
6
4
50 V
Q
GS
2
图。 14.栅极电荷波形定义
0
0
4
8
12
16
Q
G
（ NC ）
20
图。 15.栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
C
（PF ）
10
3
003aak724
C
国际空间站
I
S
(A)
20
003aak725
16
12
10
2
C
OSS
8
C
RSS
4
175°C
T
j
= 25°C
10
10
-1
1
10
V
DS
(V)
10
2
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
SD
(V)
1.2
图。 16.输入，输出和反向传输电容图。 17.电源电流为源极 - 漏极的功能
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
电压;典型值
值
PSMN075-100MSE
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2013年3月26日
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