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恩智浦半导体
PSMN075-100MSE
N沟道100伏71 mΩ的标准电平MOSFET在LFPAK33设计
专门针对PoE应用
I
D
(A)
20
003aak718
16
10 V
8V
7V
6.5 V
6V
R
DSON
200
003aak719
160
12
V
GS
= 5.5 V
120
8
5V
80
4
4.5 V
4V
4V
40
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
(V)
3
0
0
4
8
12
16
V
GS
(V)
20
图。 6 。
输出特性;漏电流作为
图。 7 。
漏极 - 源极电压的函数;典型值
漏极 - 源极导通电阻为一个函数
的栅极 - 源极电压;典型值
g
fs
(S)
10
003aak720
I
D
(A)
25
003aak721
8
20
6
15
4
10
2
5
175°C
T
j
= 25°C
4
5
6
7
V
GS
(V)
8
0
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
12
0
0
1
2
3
图。 8 。
正向跨导作为一个功能
漏电流;典型值
图。 9 。
传输特性;漏电流作为
栅极 - 源极电压的函数;典型值
PSMN075-100MSE
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2013年3月26日
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