AD8007/AD8008
当物理布局的考虑防止脱钩
如图53所示方案中，用户可连接的所述一个
高频直接穿过用品去耦电容
并连接其它高频去耦电容
接地（参见图54）。
R
F
499
布局的注意事项
推荐使用标准的同相配置
电源旁路如图54所示的0.1 μF高
高频去耦电容应X7R或NPO芯片
组件。从+ V连接C2
S
引脚连接到-V
S
引脚。
从+ V连接C1
S
引脚信号地。
高频旁路电容器引线的长度是至关重要的。
寄生电感，由于长引线工程对低
阻抗由旁路电容器创建。对于地面
负载阻抗应该在相同的物理位置的
旁路电容的理由。对于较大值的电容器，这是
旨在是在较低的频率有效，电流返回
路径距离小于临界。
+V
S
C1
0.1F
R
G
499
R
S
200
–V
S
+
10F
+
AD8007
C2
0.1F
OUT
IN
跨接耗材图54.高频电容
（推荐）
02866-054
10F
修订版E |第16页
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