AD8007/AD8008
G = +1
R
L
= 150, V
S
= + 5V和± 5V
G = +2
R
L
= 150, V
S
= + 5V和± 5V
R
L
= 150, V
S
= + 5V和± 5V
R
L
= 1kΩ的，V
S
= + 5V和± 5V
50mV/DIV
50mV/DIV
02866-042
0
10
20
30
时间（纳秒）
40
50
0
10
20
30
时间（纳秒）
40
50
图42.小信号瞬态响应
R
L
= 150 Ω, R
L
= 1 kΩ和V
S
= +5 V, V
S
= ±5 V
G = +1
R
L
= 150
图45.小信号瞬态响应
R
L
= 150 Ω, R
L
= 1 kΩ和V
S
= +5 V, V
S
= ±5 V
G = –1
输入
R
L
= 1k
产量
1V/DIV
1V/DIV
02866-043
0
10
20
30
时间（纳秒）
40
50
0
10
20
30
时间（纳秒）
40
50
图43.大信号瞬态响应的R
L
= 150 Ω, R
L
= 1 kΩ
图46.大信号瞬态响应，G = -1 ，R
L
= 150 Ω
G = +2
C
负载
= 0pF
C
负载
= 10pF的
C
负载
= 20pF的
G = +2
C
L
= 0pF
C
L
= 20pF的
C
L
= 20pF的
R
SNUB
= 10
499
499
200
49.9
–
+
R
SNUB
C
负载
1V/DIV
02866-044
50mV/DIV
0
10
20
30
时间（纳秒）
40
50
0
10
20
30
时间（纳秒）
40
50
图44.大信号瞬态响应
C
负载
= 0 pF的，C
负载
= 10 pF的，和C
负载
= 20 pF的
图47.小信号瞬态响应，受冷落系列电阻的影响。
当驱动容性负载
修订版E |第13页
20
02866-047
02866-046
02866-045
