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IRF9952QPbF
2.0
N沟道
0.12
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
1.5
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
I
D
= 2.2A
0.10
V
GS
= 4.5V
1.0
0.08
0.5
0.06
V
GS
= 10V
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.04
0
2
4
6
8
10
12
A
T
J
，结温（
°
C)
I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
3
6
9
12
15
100
顶部
80
底部
I
D
0.89A
1.6A
2.0A
60
I
D
= 3.5A
40
20
A
0
25
50
75
100
125
150
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
起始物为
J
，结温（ ° C）
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
最大雪崩能量
与漏电流
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