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PD - 96115A
IRF9952QPbF
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先进的工艺技术
超低导通电阻
双N和P沟道MOSFET
表面贴装
可在磁带卷&
150 ° C工作温度
LEAD -FREE
HEXFET
功率MOSFET
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
D1
D1
D2
D2
N沟道P沟道
V
DSS
30V
-30V
6
5
P沟道MOSFET
顶视图
R
DS （ ON）
0.10 0.25
描述
这些HEXFET
功率MOSFET的一个双SO- 8
包装利用最新的加工技术
实现每个硅极低的导通电阻
区。这些HEXFET功率的附加功能
MOSFET的是150 ° C的结工作
温度，开关速度快，提高了
重复雪崩额定值。这些优势结合起来
使这种设计的一个非常有效和可靠
装置，用于在各种各样的应用中使用。
高效率的SO -8封装提供了增强的
热特性和双MOSFET芯片
能力，因此非常适合于各种功率
应用程序。这种双重，表面贴装的SO -8
大幅减少电路板空间，也
可在磁带&卷轴。
符号
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
44
2.0
0.25
5.0
-55到+ 150
-5.0
SO-8
N沟道
最大
P沟道
30
± 20
-2.3
-1.8
-10
-1.3
2.0
1.3
57
-1.3
单位
V
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
T
A
= 25°C
最大功率耗散
T
A
= 70°C
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
3.5
2.8
16
1.7
A
W
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
θJA
极限
62.5
单位
° C / W
www.irf.com
1
08/09/10
