APW7108
应用信息（续）
布局的思考（续）
保持开关节点（ UGATEx ， LGATEx ， BootX将，
PHASEx和ISENx ）远离敏感的小型显
因为这些节点最终节点快速移动的信号。
因此，保持跟踪到这些节点越短
可能的，不应该有其他的微弱信号
在论文平行的痕迹追踪任何层。
该APW7108使用纹波模式控制。构建
电阻分压器靠近VSENx引脚，使得
高阻抗走线更短。该VSENx针的痕迹
可以“封闭开关信号线（ UGATEx ，
t
LGATEx ， BootX的， PHASEx和ISENx ） 。
该PGNDx跟踪应该是一个独立的跟踪和
inpendently到低侧MOSFET的源极。
对于只有QFN4x4-24封装，散热垫是
保护地双通道。的两个光源
通道的低端MOSFET应靠近
分别PGND。
经过论文痕迹的信号有两种
高dv / dt和高di / dt ，具有较高的峰值充电和
放电电流。来自栅极驱动器的痕迹
在MOSFET的（ UGATEx和LGATEx ）宜短
和宽。
将高侧MOSFET和源
低侧MOSFET尽可能接近的漏极。
尽量减少与广泛布局平面阻抗
在两个焊盘之间减小的电压反弹
的节点。
该ISENx跟踪应该是一个单独的跟踪，并
独立地进入低侧的漏极端
MOSFET。电流检测电阻应接近
到ISENx引脚。通过下面的MOSFET形成的环，
输出电感器和输出电容器，应该很
小。底部MOSFET的源极应配合
到输出电容，以便在负侧
为ISENx引脚得到在R上的电压降
DS （ ON）
.
去耦电容，补偿组件，
该电阻分压器，引导电容和软启动
电容应关闭其引脚。 （例如，
放置去耦陶瓷电容器靠近漏
的高侧MOSFET尽可能接近。该
大容量电容器也放置在靠近排水） 。
输入电容应该是附近的漏
高边MOSFET ;高品质的陶瓷
去耦电容器可以放在靠近VCC和
GND引脚;输出电容应靠近
负载。输入电容接地应靠近
输出电容器GND和低侧MOSFET
GND 。
MOSFET的漏极（V和PHASEx节点）
IN
应该是散热的大型飞机。和
PHASEx针迹线也可用于返回路径
UGATEx 。这些引脚连接到各自的
转炉“高边MOSFET的源极。
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茂达电子股份有限公司
A.4牧师 - 月， 2009年
22
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