位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第514页 > IXFH160N15T2 > IXFH160N15T2 PDF资料 > IXFH160N15T2 PDF资料1第4页
IXFH160N15T2
图。 7.输入导纳
200
180
160
140
200
T
J
= 150C
25C
- 40C
25C
240
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
120
100
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
160
120
150C
80
40
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
350
300
8
250
7
10
9
V
DS
= 75V
I
D
= 80A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
200
150
T
J
= 150C
100
50
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
40
80
120
160
200
240
280
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1000
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS
(
上）限
25s
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
10,000
西塞
100
100s
I
D
- 安培
1,000
科斯
10
1ms
10ms
T
J
= 175C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
DC
100
CRSS
1
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
10
100
1,000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
