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初步技术信息
TrenchT2
TM
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFH160N15T2
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
t
rr
=
=
≤
≤
150V
160A
9.0m
160ns
TO-247
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
最大无铅焊接温度的
塑料机身10秒
安装力矩
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C，R
GS
= 1M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
, V
DD
≤
V
DSS
, T
J
≤
175°C
T
C
= 25°C
最大额定值
150
150
±
20
±
30
160
440
80
1.5
15
880
-55 ... +175
175
-55 ... +175
300
260
1.13/10
6
V
V
V
V
A
A
A
J
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
国际标准套餐
高电流处理能力
快速内在二极管
Dynamaic的dv / dt额定
额定雪崩
低R
DS （ ON）
G
D
S
TAB
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
150
2.5
4.5
±
200
V
V
nA
10
A
1毫安
7.7
9.0 m
V
GS
= 10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2010 IXYS公司，版权所有
DS100228A(04/10)
