主存储器阵列的读取和最后9位（ BA8 - BA0 ）的21位地址序列指定的起始字节
在页面内解决。以执行一个连续阵列读取使用二进制页面大小（256字节） ，操作码01H
必须移入器件后跟三个地址字节（ A19 - A0 ） 。下面的地址字节，额外的时钟
SCK引脚上的脉冲会导致数据上的SO引脚输出。
CS引脚必须的操作码，地址字节和数据的读出的装载期间保持低电平。当端部
的过程中的连续阵列达到在主存储器中的页的读取，所述装置将继续读取在
下页的开头与页边界交叉（从末端的交叉过程中发生的没有延迟
一个页面的下一个页面的开始处） 。当主存储器阵列中的最后一位被读出，该装置将
继续读回的存储器中的第一页的开头。如同穿越了页面边界，没有延迟会
从阵列到阵列的开头的末端缠绕时将发生。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。最大
SCK频率允许的连续阵列读取是由F定义
CAR3
规范。连续阵列
读绕过两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
5.6
主存储器页读
主存储器页读允许数据的读取，直接从主内存中的单个页面，绕过两个
数据缓冲器和离开缓冲器的值保持不变。开始阅读页面使用标准的数据闪存
页面大小（ 264字节） ， D2H的操作码，必须移入器件后跟三个地址字节（其中
包括21位页和字节地址序列）和四个伪字节。 21位 - 第12位（ PA0 PA11 ）
地址序列指定在主存储器中被读取页和最后9位（ BA8 - BA0 ）的21位地址的
顺序指定页面内的起始字节地址。开始阅读一个页面使用二进制页面大小（256字节） ，
操作码D2H必须移入器件后跟三个地址字节和四个虚拟字节。第12位
（ A19 - A8）的20位地址序列指定要读取的页的主存储器阵列，最后8位（ A7 -
A0）的20位地址序列指定页内的起始字节地址。遵循该虚拟字节
地址字节被发送到初始化读操作。继虚拟字节，在SCK的结果附加脉冲
数据被输出到SO （串行输出）引脚。
CS引脚必须的操作码，地址字节，虚拟字节加载过程中保持较低水平，而阅读
数据。不像连续阵列读命令，当达到在主存储器中的页的结束，该装置将
继续读回以相同的页面，而不是下一个页面的开始的开始。
在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。最大
SCK的频率允许对主存储器页读出被的F定义
SCK
规范。主存储器页
读绕过两个数据缓冲器和离开缓冲区的内容不变。
5.7
缓冲区读
SRAM的数据缓冲器可以独立地从主存储器阵列进行访问，并利用所述缓冲器读
命令允许数据被顺序地直接从缓冲器中的任一个读出。四操作码， D4H或D1H的
缓冲器1和D6H或D3H为缓冲区2中，可以用于该缓冲器读命令。利用每一个操作码的依赖
最大SCK的频率，将用于读取来自缓冲器的数据。该D4H和D6H操作码可以使用
任何SCK频率可达最大为f指定
CAR1
而D1h和D3H操作码可用于低
频率读取操作最多为f指定的最大值
CAR2
.
使用标准的数据闪存缓冲区大小（ 264字节）进行缓冲区读取，操作码必须移入
设备后跟三个地址字节由15位虚拟和9缓冲区地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。执行
使用二进制缓冲器大小（256字节）的缓冲区读取，操作码必须被发送到器件接着是三个
由16个虚拟位和8个缓冲区地址位地址字节（ BFA7 - BFA0 ） 。下面的地址字节，1
空字节必须被移入设备，如果使用的操作码D4H或D6H初始化读操作。 CS引脚
必须在操作码的加载过程中保持较低水平，地址字节的空字节（如果使用的操作码D4H或D6H ）
和数据的读出。当达到缓冲器的末端，所述装置将继续读回的开头
缓冲区。在CS引脚从低到高的跳变将终止读操作和三态输出引脚（ SO ） 。
AT45DB081E [初步数据表]
DS-45DB081E-028C–DFLASH–10/2013
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