6.
6.1
编程和擦除命令
缓冲区写
利用缓冲区写入命令允许数据从SI引脚的时钟被直接写入任何一个的
SRAM数据缓冲区。
使用标准的数据闪存缓冲区大小（ 264字节） ， 84H的缓冲1的操作码或87H为数据加载到缓冲区
缓冲区2必须移入器件后跟三个地址字节由15位虚拟和9缓冲
地址位（ BFA8 - BFA0 ） 。 9缓冲器地址位用于指定要被写入在缓冲器中的第一个字节。
要使用二进制缓冲区大小（ 256字节） ， 84H的缓冲1的操作码或87H为缓冲区2的数据加载到缓冲区中，必须
被发送到器件后16个虚拟位和8缓冲区地址位（ BFA7 - BFA0 ） 。 8缓冲区地址位
在缓冲器中指定的第一个字节被写入。
在最后一个地址字节被移入器件，数据就可以在随后的时钟周期移入。如果
数据缓冲区的末尾为止，该装置将绕回的缓冲区的开始。数据将继续
被加载到缓冲区中，直到由低到高的转变是在CS引脚检测。
6.2
缓冲区到主存储器页编程带内置擦除
在缓冲区中的主存储器页编程带内置擦除命令允许存储在SRAM中的一个数据
缓冲器被写入到一个擦除或编程页面的主存储器阵列中。这是没有必要预先擦除
要写入的，因为该命令将自动擦除之前的所选择的页中的主存储器页
项目周期。
要执行一个缓冲主存储器页编程与使用标准的数据闪存页面大小内置擦除
（ 264字节） ， 83H的缓冲1的操作码或86H为缓冲区2必须移入器件后跟三个地址
字节包含3个虚设位，第12页的地址位（ PA11 - PA0 ）在主存储器中指定的页面是
写的，和9虚设位。
要执行一个缓冲主存储器页编程带内置擦除使用二进制的页面大小（ 256字节） ，操作码
83H的缓冲器1或86H为缓冲区2 ，必须移入器件后跟三个地址字节由4
虚设位，第12页的地址位（ A19 - A8） ，用于指定要被写入主存储器中的页面，和8虚设位。
当低到高的转变发生在CS引脚，该设备将首先清除在主存储器中所选择的页面（在
擦除状态是一个逻辑1），则程序存储在合适的缓冲液为在主同一页中的数据
内存。同时擦除和页面的编程是在内部自定时的，应在一
吨的最大时间
EP
。在此期间，状态寄存器中的RDY / BUSY位将表明设备正忙。
该器件还集成了一个智能的擦除和编程算法，当一个字节的位置没有可检测
擦除或编程正确。如果在擦除或编程错误发生时，它将被在状态的EPE位表示
注册。
6.3
缓冲区到主存储器页编程没有内置擦除
在缓冲区中的主存储器页编程没有内置擦除命令允许存储在SRAM中的一个数据
缓冲器被写入到一个预先被擦除的页的主存储器阵列中。必要的是在主存储器中的页面是
写入被预先擦除，以避免编程错误。
要执行一个缓冲主存储器页编程，而不使用标准的数据闪存页面大小内置擦除
（ 264字节） ， 88H的缓冲1的操作码或89H为缓冲区2必须移入器件后跟三个地址
字节包含3个虚设位，第12页的地址位（ PA11 - PA0 ）在主存储器中指定的页面是
写的，和9虚设位。
要使用二进制的页面大小（ 256字节） ， 88H的缓冲区操作码进行缓冲，以主存储器页编程
1或89H为缓冲区2必须移入器件后跟三个地址字节由4位假人，
第12页的地址位（ A19 - A8） ，用于指定要被写入主存储器中的页面，和8虚设位。
AT45DB081E [初步数据表]
DS-45DB081E-028C–DFLASH–10/2013
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