IRF5810PbF
1000
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
800
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
-2.9A
V
DS
=-16V
V
DS
=-10V
8
C，电容（pF ）
西塞
600
6
400
4
200
科斯
CRSS
1
10
100
2
0
0
0
2
4
6
8
10
12
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
10
-I D，漏极 - 源极电流（A ）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
10
100sec
1
TC = 25°C
TJ = 150℃
单脉冲
0
1
10
1
1msec
10msec
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.4
0.1
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
100
-VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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