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IRF5810PbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
V
（ BR ） DSS
V
（ BR ） DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
分钟。
-20
–––
–––
–––
-0.45
5.4
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.011
60
87
–––
–––
–––
–––
–––
–––
6.4
1.2
1.7
8.2
14
62
53
650
110
86
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= -250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= -1mA
90
V
GS
= -4.5V ，我
D
= -2.9
m
135
V
GS
= -2.5V ，我
D
= -2.3A
-1.2
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250A
–––
S
V
DS
= -10V ，我
D
= -2.9A
-1.0
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V
A
-25
V
DS
= -16V, V
GS
= 0V ，T
J
= 70°C
-100
V
GS
= -12V
nA
100
V
GS
= 12V
9.6
I
D
= -2.9A
1.8
nC
V
DS
= -10V
2.6
V
GS
= -4.5V
–––
V
DD
= -10V
–––
I
D
= -1.0A
ns
–––
R
G
= 6.0
–––
V
GS
= -4.5V
–––
V
GS
= 0V
–––
pF
V
DS
= -16V
–––
= 1kHz时
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
110
130
-1.0
-11
-1.2
170
200
V
ns
nC
A
条件
MOSFET符号
展示
G
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C，I
S
= -1.0A ，V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C，I
F
= -1.0A
的di / dt = -100A / μs的
D
S
注意事项：
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。
表面安装在1平方铜电路板
脉冲宽度
≤
400μS ;占空比
≤
2%.
2
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