SMD型
晶体管
产品speci fi cation
FZT657
SOT-223
+0.2
6.50
-0.2
单位：mm
+0.2
3.50
-0.2
0
.1max
+0.05
0.90
-0.05
特点
低饱和电压
+0.1
3.00
-0.1
+0.2
0.90
-0.2
+0.3
7.00
-0.3
4
1 BASE
1
2
2.9
4.6
3
0.70
+0.1
-0.1
2个集热器
3发射器
4珍藏
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
峰值脉冲电流
连续集电极电流
在T功耗
AMB
=25
工作和存储温度范围
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CM
I
C
P
合计
T
j
:T
英镑
等级
300
300
5
1
0.5
2
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
W
电气特性TA = 25
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极导通电压
静态正向电流传输比
跃迁频率
输出电容
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
h
FE
f
T
C
敖包
Testconditons
I
C
=100ìA
I
C
=10mA*
I
E
=100ìA
V
CB
=200V
V
EB
=3V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时我
B
=10mA*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=5V*
I
C
= 100mA时V
CE
=5V*
I
C
= 10毫安，V
CE
=20V,f=20MHz
V
CB
= 20V ， F = 1MHz的
40
50
30
20
兆赫
pF
民
300
300
5
0.1
0.1
0.5
1.0
1.0
典型值。
最大
单位
V
V
V
ìA
ìA
V
V
V
*脉冲条件下进行测定。脉冲宽度= 300ìs 。占空比2 ％
记号
记号
FZT657
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
+0.15
1.65
-0.15
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