产品speci fi cation
FAN5092
振荡器
该FAN5092振荡器部分的频率阻止 - 运行
根据开采由一个电阻RT引脚与地
公式
50
10
9
-
RT
( )
= ---------------------
f
(
Hz
)
该振荡器产生两个方波， 180 °的相位差
彼此。一个在内部使用，另外被发送给
第二FAN5092在CLK引脚。
方波产生两个内部锯齿斜坡，
各以一半的方波的频率，并运行
180 °的相位差彼此。这些坡道导致
接通该两片的时间要分期间隔和四个
相位为90 °的每一个。的振荡器频率
FAN5092可从400kHz的可编程至4MHz与
每个阶段，分别于100KHz的运行至1MHz 。 Selec-
一频率的灰将取决于各种系统
性能标准，具有更高的频率产生
更小的组件，但较低的外汇基金fi效率。
VFB引脚超过2.2V ，过压条件
假设和FAN5092锁存外部低端
MOSFET和闭锁的高边MOSFET 。该
DC-DC转换返回到仅在V正常操作
CC
已被回收。
热设计注意事项
由于非常大的栅极电容，该
FAN5092可行驶时， IC会消耗大量的
力。它提供一种路径是很重要的IC的热量是
取出，以避免过热。在实践中，这意味着
各销应连接到一个跟踪一样大
可能。在PCB上的铜的使用较重权重是
也是可取的。自的MOSFET也产生了大量的
热，应努力以热从他们隔离
该IC 。
过温保护
如果FAN5092芯片温度超过大约
150℃时， IC是关闭的。它保持关闭，直到temper-
ATURE已降至约25℃ ，此时将其
恢复正常运行。
可编程有源下垂
该FAN5092具有可编程的主动降速 ：为
输出电流增加时，输出电压下降比例
tionately可以与一个外部编程的量
最终电阻。这个功能被提供，以便允许
最大净空高度为转换器的瞬态响应。
电流是通过测量电压无损感测
跨在其上的时间的低侧MOSFET 。咨询
节电流检测的详细信息。注意，此方法
使下垂取决于温度和初始
公差MOSFET的，并且下垂，必须计算
考虑到这些公差。给定的最大负载
当前，下垂的量可以用一个被编程
接地电阻上的压降销，根据下式
2
n
V
垂
RT
R
垂
( )
= --------------------------------------------------
-
I
最大
R
DS
,
on
随着V
垂
所需的电压下垂， RT振荡器
电阻器，我
最大
负载电流在该下垂是期望的，
和R
DS ，ON
一相低压侧的通态电阻
MOSFET。
在FAN5092的典型响应时间的输出电压
变化是100nsec 。
重要提示！
振荡器的频率，必须选择
选择下垂电阻，因为RT前值
用于R的计算
垂
.
组件选择
MOSFET选择
此应用程序需要N沟道增强型场
场效应晶体管。期望的特性如下：
低漏源导通电阻，
R
DS ，ON
<为10mΩ （越低越好） ;
功率封装的低热阻;
漏源电压额定值> 15V ;
低栅极电荷，特别是对于更高的频率
操作。
为低侧MOSFET的导通电阻（R
DS ，ON
）是
主要参数的选择。因为小税
高侧的周期中，导通电阻确定
在低侧MOSFET的功率耗散并因此
显着地影响了DC-DC转换器的EF网络效率。
对于高电流的应用中，可能有必要使用两个
并联MOSFET的低侧为每个切片。
用于高侧MOSFET ，栅极电荷是重要
作为导通电阻，特别是与一个12V的输入，并与
更高的开关频率。这是因为速度
过渡极大地影响功耗。它可以是
一个很好的权衡来选择MOSFET带着几分
较高的R
DS ，ON
如果这样做，一个更小的栅极电荷为
可用。对于高电流的应用中，可能有必要
使用两个并联MOSFET高侧的每个
片。
在FAN5092的最高工作频率，也可能是
必要限制两高侧的总的栅极电荷
和低侧MOSFET一起，以避免过多的功率
耗散在IC 。
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过电压保护
该FAN5092不断地监视输出电压
防止过电压的条件。如果在电压
REV 。 1.0.7 02年6月20日
