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TPS5130
SLVS426 - 2002年5月
连接
D
从司机到功率MOSFET的栅极连接应尽可能短而宽越好
以减少杂散电感。这成为如果没有使用外部栅极电阻更为关键。在
另外，对于限流噪声问题，使用的高边MOSFET （ S）的栅极电阻很大
降低了噪声，在上述LL节点，提高了电流限制功能的性能。
D
从LL的功率MOSFET的连接应尽可能短而宽越好。
旁路电容
D
旁路电容VIN_SENSE应放置在靠近TPS5130 。
D
整个VIN大容量电容应放置在靠近功率MOSFET 。高频
旁路电容应放置在与大电容并联并连接附近的漏极
的高侧MOSFET （S）和低侧MOSFET （多个）的来源。
D
用于高侧MOSFET （S）和所述跳闸销漏极之间对准相位，和用于降噪，一
0.1
F
电容C
（ TRIP ）
应放置在平行与跳闸电阻。
自举电容
D
自举电容C
（ BS）
（从连接到LH LL）应放置在靠近TPS5130 。
D
LH和LL应路由彼此靠近以减小噪声耦合到这些痕迹。
D
LH和LL不要靠近控制引脚区域（例如， INV ， FB ，楼盘等）进行路由。
输出电压
D
输出电压感测微量应以接地平面隔离。
D
输出电压感测微量不应放置在感应器上的同一层。
D
反馈元件应该由输出组件，如，晶体管，电感器进行分离，并
输出电容器。否则反馈信号线易受输出噪声。
D
该电阻设置输出电压应参考ANAGND 。
D
INV的走线应尽可能短。
效率（ PWM模式）
vs
输出电流
100
VIN = 8 V
效率（ PWM模式） - ％
效率（ PWM模式） - ％
80
VIN = 12 V
80
VIN = 12 V
100
VIN = 8 V
效率（ PWM模式） - ％
80
VIN = 12 V
60
VIN = 20 V
40
效率（ PWM模式）
vs
输出电流
100
效率（ PWM模式）
vs
输出电流
VIN = 8 V
60
60
40
VIN = 20 V
40
VIN = 20 V
20
SBRC通道1
外部5 V
VO1 = 3.3 V
0.1
1
10
20
SBRC通道2
外部5 V
VO2 = 5 V
0.1
1
10
20
SBRC CH3
外部5 V
VO3 = 1.8 V
0.1
1
10
0
0.01
0
0.01
0
0.01
IO - 输出电流 - 一个
IO - 输出电流 - 一个
IO - 输出电流 - 一个
图19
图20
图21
23
