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TPS5130
SLVS426 - 2002年5月
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软启动
软启动定时可以通过选择软启动电容值来调整。该方程是;
C（软）
+
2.3
10
–6
T（软）
0.85
其中，C （软）是软启动电容（ μF ） （ C05 ， C07和C10的EVM设计） ：
T（软）是在启动时间（s） 。
例如： T（软） = 5毫秒，因此，C （软） = 0.0135
F.
电流保护
在TPS5130电流限制是一个内部电流源和一个外部电阻（ R17 ， R23和R24 ）设置。
的限流保护电路的漏极比较高侧的电源电压和低侧
MOSFET的（多个）相对于设定点的电压。如果电压超过了在高边导通的限制，
电流限制电路终止该高边驱动脉冲。如果设定点电压在低侧超出
导通，在低侧脉冲通过在下一个周期延长。总之这个动作有效果
降低输出电压，直到欠压保护电路启动，故障锁存器置
两高侧和低侧MOSFET驱动器关闭。下面的公式可以用于计算
对于电流保护设定值外部电阻值：
r
DS （ ON）
R（ CL ）
+
13
I
（ TRIP ）
)
10
–6
I
（纹波）
2
其中R
（CL）的
是外部限流电阻（ R17 ， R23和R24 ） ;
DS （ ON）
是低边MOSFET （ Q02 ， Q04
和Q06 ）的导通时间的电阻。我
（ TRIP ）
是所需的电流限制。
例如，R
DS （ ON）
= 25毫欧，我
（ TRIP ）
= 4 A，I
（纹波）
= 1.57 ，因此，R
（CL）的
= 9.2 k.
应当指出，其中r
DS （ ON）
FET的是高度依赖于温度，因此，确保在最大满输出
工作温度， r的值
DS （ ON）
在上述方程中应进行调整。为了获得最大的稳定性，
建议的高侧MOSFET （多个）具有相同的，或稍较高的R
DS （ ON）
比低侧
MOSFET的（多个） 。如果低侧MOSFET （多个）具有较高的R
DS （ ON）
在某些低工作周期应用中，可能
可以为设备在输出电流大于设定更高由上述等式通过增加调节
高侧的导通时间，以补偿所引起的扩展错过的导通周期
以前的低侧脉。
定时闭锁
该TPS5130包括与用户可调定时器锁存的情况下， MOSFET驱动器故障锁存功能
的故障状态。当任的OVP和UVP比较器检测到故障状态，定时器开始充电
FLT电容（ C42 ） ，这是与FLT引脚相连。该电路被设计成使得对于FLT的任何值
电容，欠压锁存时间t
（ uvplatch ）
比过压锁存时间t约大50倍
（ ovplatch ）
.
方程需要计算为所希望的过压和欠压的FLT电容器的要求值
锁存器延迟时间是：
C
（ LAT）的
+
2.3
C
（ LAT）的
+
125
10
*6
*6
t
（ uvplatch ）
1.185
t
（ ovplatch ）
1.185
和
10
其中C
（LAT
）是外部电容器，叔
（ uvplatch ）
是从UVP检测的时间来锁存。吨
（ ovplatch ）
从时间
OVP检测到锁存器。
对于EVM ，T
（ uvplatch ）
= 5毫秒和T
（ ovplatch ）
= 0.1毫秒，所以C
（ LAT）的
= 0.01
F.
如果FLT引脚达到电压
1.185 V，故障锁存器，并为MOSFET驱动器设置如下：
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