位置:首页 > IC型号导航 > 首字符N型号页 > 首字符N的型号第462页 > NBRS2H100T3G > NBRS2H100T3G PDF资料 > NBRS2H100T3G PDF资料1第5页

MBRS2H100T3G , NBRS2H100T3G , MBRA2H100T3G , NRVBA2H100T3G ,
典型特征
100
10
R( T) ( C / W )
50 % (占空比)
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
1.0
0.1
单脉冲
0.01
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间( S)
0.1
1.0
10
100
1000
图11.热响应,结到环境( 1英寸垫)
MBRA2H100T3G/NRVBA2H100T3G
1000
50 % (占空比)
100
R( T) ( C / W )
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
10
1.0
0.1
单脉冲
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
脉冲时间( S)
0.1
1.0
10
100
1000
图12.热响应,结到环境(分片)
MBRA2H100T3G/NRVBA2H100T3G
2.5
电源基于T
A
= 25°C
功耗( W)
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.0盎司
1.0盎司
0
100
200
300
400
500
600
700
铜面积(平方毫米)
图13. P
D
,结到环境( URS铜区)
http://onsemi.com
5