位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第256页 > BC847BDW1T1G > BC847BDW1T1G PDF资料 > BC847BDW1T1G PDF资料2第8页
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， SBC847BDW1T1G系列，
NSVBC847BDW1T2G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC848CDW1T1G ， SBC848CDW1T1G
1.0
V
BE（上）
，基极发射极电压
(V)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.0001
0.001
0.01
150°C
1000
55°C
25°C
f
T
，电流增益
带宽
产品
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
100
0.1
10
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图29. V
BE（上）
在V
CE
= 5 V
图30.电流
收益
带宽
产品
2
V
CE
，集电极 - 发射极
电压（V）的
I
C
=
10毫安
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.01
I
C
=
20毫安
10
T
A
= 25°C
C
ib
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
C
ob
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
I
B
，基极电流（毫安）
图31的电容
图32.集电极饱和区
q
VB
，温度系数小
（毫伏/ ° C）
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0.1
V
CE
= 5 V
q
VB
为V
BE
55°C
至150℃
图33.基射极温度系数
1
10
I
B
，基极电流（毫安）
100
http://onsemi.com
8
