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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第256页 > BC847BDW1T1G
BC846BDW1T1,
BC847BDW1T1,
BC848CDW1T1
双路通用
晶体管
NPN偶
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
器件标识：
BC846BDW1T1 = 1B
BC847BDW1T1 = 1F
BC848CDW1T1 = 1L
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
无铅包装是否可用
6
图
记号
SOT363
CASE 419B
风格1
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流 -
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
1xm
1
1X =具体设备守则
X = B， F，L
M =日期代码
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
订购信息
设备
BC846BDW1T1
BC847BDW1T1
包
SOT363
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
符号
P
D
最大
380
250
单位
mW
BC847BDW1T1G
BC848CDW1T1
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第3版
出版订单号：
BC846BDW1T1/D
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
V
（ BR ） CEO
BC846
BC847
BC848
V
（ BR ） CES
BC846
BC847
BC848
V
（ BR ） CBO
BC846
BC847
BC848
V
（ BR ） EBO
BC846
BC847
BC848
I
CBO
6.0
6.0
5.0
15
5.0
nA
mA
80
50
30
V
80
50
30
V
65
45
30
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
BC846B ， BC847B
BC848C
BC846B ， BC847B
BC848C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
200
420
580
150
270
290
520
0.7
0.9
660
450
800
0.25
0.6
700
770
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
V
V
mV
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
http://onsemi.com
2
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
典型特征 - BC847 & BC848
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
图4.基射极温度系数
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
典型特征 - BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
10 20
2.0
5.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图7.归DC电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.4
1.8
q
VB
对于V
BE
2.2
-55 ° C至125°C
0.8
0.4
2.6
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
3.0
0.2
0.5
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
10
6.0
4.0
C
ob
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
200
100
50
20
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
10 20
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
4
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
1.0
D = 0.5
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
0.001
0
1.0
10
100
吨，时间（ ms）的
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 328 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.1
图13.热响应
200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
100
50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
10
5.0
2.0
1.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
5.0
10
30 45 65 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
范围
必须可靠地观察到该晶体管的
操作。具体电路集电极负载线必须
低于所适用的曲线所指示的限制。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
或T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲
曲线是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图13.在高的情况下，或环境温度，
热限制会降低功率，可以是
处理，以值小于由所施加的限制
二次击穿。
图14.活动区的安全工作区
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5
BC846BDW1T1,
BC847BDW1T1,
BC848CDW1T1
双路通用
晶体管
NPN偶
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
器件标识：
BC846BDW1T1 = 1B
BC847BDW1T1 = 1F
BC848CDW1T1 = 1L
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
Q
1
Q
2
(4)
(5)
(6)
无铅包装是否可用
6
图
记号
SOT363
CASE 419B
风格1
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
集电极电流 -
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
1xm
1
1X =具体设备守则
X = B， F，L
M =日期代码
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
订购信息
设备
BC846BDW1T1
BC847BDW1T1
包
SOT363
SOT363
SOT363
（无铅）
SOT363
航运
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
3000个/卷
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
符号
P
D
最大
380
250
单位
mW
BC847BDW1T1G
BC848CDW1T1
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
-55到+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年6月 - 第3版
出版订单号：
BC846BDW1T1/D
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
V
（ BR ） CEO
BC846
BC847
BC848
V
（ BR ） CES
BC846
BC847
BC848
V
（ BR ） CBO
BC846
BC847
BC848
V
（ BR ） EBO
BC846
BC847
BC848
I
CBO
6.0
6.0
5.0
15
5.0
nA
mA
80
50
30
V
80
50
30
V
65
45
30
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
发射-Base击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
h
FE
BC846B ， BC847B
BC848C
BC846B ， BC847B
BC848C
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
200
420
580
150
270
290
520
0.7
0.9
660
450
800
0.25
0.6
700
770
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
基地发射极电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
基地发射极电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
V
V
mV
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
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2
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
典型特征 - BC847 & BC848
2.0
的hFE ，规范直流电流增益
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V，电压（V ）
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
50
2.0
5.0 10
1.0
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
100
200
0
0.1
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2 0.3 0.5 0.7 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10 20 30
I
C
，集电极电流（ MADC ）
50 70 100
V
BE（上）
@ V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
图1.归DC电流增益
2.0
T
A
= 25°C
1.6
I
C
= 200毫安
1.2
I
C
=
I
C
=
10毫安20毫安
0.8
I
C
= 50毫安
I
C
= 100毫安
1.0
图2. “饱和度”和“开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（ V）
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
-55 ° C至+ 125°C
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
0.4
0
0.02
0.1
1.0
I
B
，基极电流（毫安）
10
20
0.2
10
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
100
图3.集电极饱和区
10
7.0
C，电容（pF ）
5.0
C
ib
T
A
= 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
400
300
200
图4.基射极温度系数
3.0
C
ob
2.0
100
80
60
40
30
20
0.5 0.7
1.0
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
1.0
0.4 0.6 0.8 1.0
2.0
4.0 6.0 8.0 10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
I
C
，集电极电流（ MADC ）
30
50
图5的电容
图6.电流增益 - 带宽积
http://onsemi.com
3
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
典型特征 - BC846
1.0
的hFE ， DC电流增益（标准化）
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1 0.2
10
100
1.0
I
C
，集电极电流（毫安）
V，电压（V ）
T
A
= 25°C
0.8
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
10 20
2.0
5.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图7.归DC电流增益
图8. “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
T
A
= 25°C
1.6
20毫安
1.2
I
C
=
10毫安
50毫安
百毫安
200毫安
θ
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
2.0
1.0
1.4
1.8
q
VB
对于V
BE
2.2
-55 ° C至125°C
0.8
0.4
2.6
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
I
B
，基极电流（毫安）
5.0
10
20
3.0
0.2
0.5
10 20
5.0
1.0 2.0
I
C
，集电极电流（毫安）
50
100
200
图9.集电极饱和区
图10.基射极温度系数
T
A
= 25°C
C，电容（pF ）
20
C
ib
10
6.0
4.0
C
ob
F T ，电流增益 - 带宽积
40
500
V
CE
= 5 V
T
A
= 25°C
200
100
50
20
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0 2.0
10 20
5.0
V
R
，反向电压（伏）
50
100
1.0
5.0 10
50 100
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.电容
图12.电流增益 - 带宽积
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4
BC846BDW1T1 ， BC847BDW1T1 ， BC848CDW1T1
1.0
D = 0.5
R（T ） ，瞬态热
电阻（标准化）
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.01
P
（ PK）
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
单脉冲
0.001
0
1.0
10
100
吨，时间（ ms）的
1.0 k
10 k
100 k
1.0 M
Z
qJA
（吨）= R（T ）R
qJA
R
qJA
= 328 ° C / W MAX
D曲线任选一功率
脉冲序列如图
读取时间AT＆T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
R
QJC
(t)
0.1
图13.热响应
200
1s
IC ，集电极电流（毫安）
100
50
T
A
= 25°C
T
J
= 25°C
3毫秒
10
5.0
2.0
1.0
BC558
BC557
BC556
焊线LIMIT
热限制
第二击穿极限
5.0
10
30 45 65 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
安全工作区曲线表明我
C
V
CE
范围
必须可靠地观察到该晶体管的
操作。具体电路集电极负载线必须
低于所适用的曲线所指示的限制。
图14的数据是基于
J（下PK）
= 150_C ;牛逼
C
或T
A
是可变的，这取决于条件。脉冲
曲线是有效的占空比来假定T 10 ％
J（下PK）
≤
150℃。牛逼
J（下PK）
可以从在数据计算
图13.在高的情况下，或环境温度，
热限制会降低功率，可以是
处理，以值小于由所施加的限制
二次击穿。
图14.活动区的安全工作区
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5
BC846BDW1T1G,
BC847BDW1T1G,
BC848CDW1T1G
双路通用
晶体管
NPN偶
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
特点
(3)
http://onsemi.com
(2)
(1)
Q
1
Q
2
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
6
(4)
(5)
(6)
记号
图
1
SOT363
CASE 419B
风格1
1个MG
G
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1X =具体设备守则
X = B， F，G ，L
M =日期代码
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
热特性
特征
器件总功耗
每个器件
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结存储
温度范围
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
符号
P
D
最大
380
250
单位
mW
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
3.0
R
qJA
T
J
, T
英镑
328
55
+150
毫瓦/°C的
° C / W
°C
半导体元件工业有限责任公司， 2010
， 2010年7月
启示录7
1
出版订单号：
BC846BDW1T1/D
BC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， BC848CDW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
BC846系列
BC847系列
BC848系列
V
（ BR ） CEO
V
65
45
30
80
50
30
80
50
30
6.0
6.0
5.0
V
V
V
15
5.0
nA
mA
符号
民
典型值
最大
单位
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
V
（ BR ） CES
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
V
（ BR ） CBO
发射极 - 基极击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
V
（ BR ） EBO
集电极截止电流（V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846B ， BC847B ，
BC847C ， BC848C
BC846B ， BC847B ，
BC847C ， BC848C
I
CBO
h
FE
200
420
150
270
290
520
0.7
0.9
660
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
mV
集热器
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压（I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压（I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容（V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE（上）
580
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
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2
BC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC846BDW1T1G
600
V
CE
= 5 V
h
FE
，直流电流增益
h
FE
，直流电流增益
500
150°C
400
300
200
100
0
0.001
25°C
500
400
300
200
100
0
0.001
25°C
150°C
600
V
CE
= 10 V
55°C
55°C
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.直流电流增益在V
CE
= 5 V
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
图2.直流电流增益在V
CE
= 10 V
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
I
C
/I
B
= 10
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.0001
25°C
150°C
I
C
/I
B
= 20
150°C
25°C
55°C
55°C
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3. V
CE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
图4. V
CE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
150°C
0.20
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.20
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图5. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 10
http://onsemi.com
3
图6. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 20
BC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC846BDW1T1G
1.20
V
BE（上）
，基极发射极电压
(V)
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.0001
0.001
0.01
150°C
25°C
55°C
1000
f
T
，电流增益
带宽
产品
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
100
0.1
10
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图7. V
BE（上）
在V
CE
= 5 V
图8.电流
收益
带宽积
10
T
A
= 25°C
V
CE
，集电极 - 发射极
电压（V）的
C，电容（pF ）
C
ib
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.01
T
A
= 25°C
I
C
=
10毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
C
=
20毫安
C
ob
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
I
B
，基极电流（毫安）
图9.的电容
图10.集电极饱和区
q
VB
，温度系数小
（毫伏/ ° C）
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0.1
V
CE
= 5 V
q
VB
为V
BE
55°C
至150℃
图11.基射极温度系数
1
10
I
B
，基极电流（毫安）
100
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4
BC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC847BDW1T1G
600
500
400
300
200
100
0
0.0001
25°C
150°C
h
FE
，直流电流增益
600
500
400
25°C
300
200
100
0
0.0001
55°C
150°C
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
h
FE
，直流电流增益
55°C
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图12.直流电流增益在V
CE
= 5 V
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
55°C
0.00
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
图13.直流电流增益在V
CE
= 10 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
25°C
25°C
150°C
150°C
55°C
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
0.00
0.0001
图14. V
CE
在我
C
/I
B
= 10
图15. V
CE
在我
C
/I
B
= 20
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
I
C
/I
B
= 10
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
55°C
25°C
150°C
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图16. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 10
图17. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 20
http://onsemi.com
5
BC846BDW1T1G,
SBC846BDW1T1G,
BC847BDW1T1G,
SBC847BDW1T1G系列，
NSVBC847BDW1T2G,
BC848CDW1T1G
双路通用
晶体管
NPN偶
这些晶体管被设计为通用放大器
应用程序。它们都装在SOT -363 / SC- 88，它是
专为低功率表面贴装应用。
特点
(3)
http://onsemi.com
SOT363
CASE 419B
风格1
(2)
(1)
S和NSV前缀为汽车和其他应用
Q
1
Q
2
需要独特的网站和控制变化的要求;
AEC - Q101标准，并有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
*兼容
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
BC846
65
80
6.0
100
BC847
45
50
6.0
100
BC848
30
30
5.0
100
单位
V
V
V
MADC
(4)
(5)
(6)
标记图
6
1个MG
G
1
1x
x
M
G
=具体设备守则
= B， F，G ，L
=日期代码
= Pb-Free包装
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
热特性
特征
器件总功耗每设备
FR - 5委员会（注1 ）
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
380
250
3.0
328
55
+150
单位
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
° C / W
°C
R
qJA
T
J
, T
英镑
在1 FR - 5 = 1.0× 0.75× 0.062
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年9月
9牧师
1
出版订单号：
BC846BDW1T1/D
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， SBC847BDW1T1G系列，
NSVBC847BDW1T2G ， BC848CDW1T1G
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10 mA）的
BC846 ， SBC846系列
BC847 ， SBC847系列， NSVBC847
BC848系列
集热器
：辐射源
击穿电压
(I
C
= 10
毫安，
V
EB
= 0)
BC846 ， SBC846系列
BC847 ， SBC847系列， NSVBC847
BC848系列
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 10
毫安）
BC846 ， SBC846系列
BC847 ， SBC847系列， NSVBC847
BC848系列
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 1.0
毫安）
BC846 ， SBC846系列
BC847 ， SBC847系列， NSVBC847
BC848系列
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30 V)
(V
CB
= 30 V ，T
A
= 150°C)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10
毫安，
V
CE
= 5.0 V)
BC846B ， SBC846B ， BC847B ， SBC847B ， NSVBC847
BC847C ， SBC847C ， BC848C
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
BC846B ， SBC846B ， BC847B ， SBC847B ， NSVBC847
BC847C ， SBC847C ， BC848C
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 10 mA时，我
B
= 0.5 mA）的
(I
C
= 100毫安，我
B
= 5.0 mA）的
BASE
：辐射源
电压
(I
C
= 2.0毫安， V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 V ， F = 1.0兆赫）
噪声系数
(I
C
= 0.2毫安， V
CE
= 5.0伏，R
S
= 2.0千瓦， F = 1.0千赫， BW = 200赫兹）
f
T
C
敖包
NF
100
4.5
10
兆赫
pF
dB
h
FE
200
420
V
CE （ SAT ）
580
150
270
290
520
0.7
0.9
660
450
800
0.25
0.6
700
770
V
V
（ BR ） CEO
65
45
30
V
（ BR ） CES
80
50
30
V
（ BR ） CBO
80
50
30
V
（ BR ） EBO
6.0
6.0
5.0
I
CBO
15
5.0
nA
mA
V
V
V
V
符号
民
典型值
最大
单位
V
BE （ SAT ）
V
V
BE（上）
mV
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2
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， SBC847BDW1T1G系列，
NSVBC847BDW1T2G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G
600
V
CE
= 5 V
h
FE
，直流电流增益
h
FE
，直流电流增益
500
150°C
400
300
200
100
0
0.001
25°C
500
400
300
200
100
0
0.001
25°C
150°C
600
V
CE
= 10 V
55°C
55°C
0.01
0.1
1
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图1.直流电流增益在V
CE
= 5 V
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
图2.直流电流增益在V
CE
= 10 V
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
I
C
/I
B
= 10
0.3
0.25
0.2
0.15
0.1
0.05
0
0.0001
25°C
150°C
I
C
/I
B
= 20
150°C
25°C
55°C
55°C
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图3. V
CE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 10
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
图4. V
CE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 20
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
I
C
/I
B
= 10
55°C
25°C
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
150°C
0.20
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.20
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图5. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 10
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3
图6. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 20
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， SBC847BDW1T1G系列，
NSVBC847BDW1T2G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G
1.20
V
BE（上）
，基极发射极电压
(V)
1.10
1.00
0.90
0.80
0.70
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.0001
0.001
0.01
150°C
25°C
55°C
1000
f
T
，电流增益
带宽
产品
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
T
A
= 25°C
100
0.1
10
0.1
1
10
100
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图7. V
BE（上）
在V
CE
= 5 V
图8.电流
收益
带宽积
10
T
A
= 25°C
V
CE
，集电极 - 发射极
电压（V）的
C，电容（pF ）
C
ib
2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0.01
T
A
= 25°C
I
C
=
10毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
C
=
20毫安
C
ob
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
R
，反向电压（V）的
I
B
，基极电流（毫安）
图9.的电容
图10.集电极饱和区
q
VB
，温度系数小
（毫伏/ ° C）
0.2
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
0.1
V
CE
= 5 V
q
VB
为V
BE
55°C
至150℃
图11.基射极温度系数
1
10
I
B
，基极电流（毫安）
100
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4
BC846BDW1T1G ， SBC846BDW1T1G ， BC847BDW1T1G ， SBC847BDW1T1G系列，
NSVBC847BDW1T2G ， BC848CDW1T1G
典型特征
BC847BDW1T1G ， SBC847BDW1T1G ， NSVBC847BDW1T2G
600
500
400
300
200
100
0
0.0001
25°C
150°C
h
FE
，直流电流增益
600
500
400
25°C
300
200
100
0
0.0001
55°C
150°C
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
h
FE
，直流电流增益
55°C
0.001
0.01
0.1
1
0.001
0.01
0.1
1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图12.直流电流增益在V
CE
= 5 V
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
55°C
0.00
0.0001
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
V
CE （ SAT ）
时，Coll - EMITT饱和电压（ V）
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
图13.直流电流增益在V
CE
= 10 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
25°C
25°C
150°C
150°C
55°C
0.001
0.01
I
C
，集电极电流（ A）
0.1
0.00
0.0001
图14. V
CE
在我
C
/I
B
= 10
图15. V
CE
在我
C
/I
B
= 20
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
V
BE （ SAT ）
， BASE- EMITT饱和电压（ V）
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
I
C
/I
B
= 10
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
I
C
/I
B
= 20
55°C
25°C
150°C
55°C
25°C
150°C
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
0.00
0.0001
0.001
0.01
0.1
I
C
，集电极电流（ A）
I
C
，集电极电流（ A）
图16. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 10
图17. V
BE （ SAT ）
在我
C
/I
B
= 20
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