新产品
BU2506通BU2510
威世通用半导体
增强PowerBridge
整流器
PowerBridge
~
+
机箱样式BU
~
-
-
~
~
+
特点
UL认可文件号E309391
（ QQQX2 ） UL 1557 （见* ）
薄单列直插式封装
适用于BU -5S导致形成的选项
（以“ 5S ”后缀，例如零件号
BU25065S)
卓越的热传导率
浸焊275 °C以下。 10秒，每JESD 22 - B106
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
典型应用
在AC / DC桥式全波一般用途
整流开关电源，家用
家电和白色家电应用。
机械数据
案例：
BU
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - M3 - 无卤素，符合RoHS标准，并
商业级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
M3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
作为标记体
安装扭矩：
10厘米公斤（ 8.8英寸- lbs）的最大值。
推荐扭矩：
5.7厘米公斤（5英寸 - 磅）
+
~
~
-
*经测试符合UL标准的安全电气隔离半导体
设备。 UL 1557第4版。
介电测试，以最大的情况下，储存和结
温至150℃ ，以承受1500V。
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级。
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
在我
F
= 12.5 A
T
J
马克斯。
25 A
600 V, 800 V, 1000 V
300 A
5 A
0.87 V
150 °C
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
平均整流正向电流（图1 ，2）
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单一正弦波，T
J
= 25 °C
额定值融合（T < 8.3毫秒）T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
笔记
(1)
(2)
符号
V
RRM
T
C
= 60 °C
(1)
T
A
= 25 °C
(2)
I
O
I
FSM
I
2
t
T
J
, T
英镑
BU2506
600
BU2508
800
25
3.5
300
373
- 55至+ 150
BU2510
1000
单位
V
A
A
A
2
s
°C
用60瓦的风冷散热器
没有散热片，自由的空气
文档编号： 89299
修订： 15 -MAR- 11
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BU2506通BU2510
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大正向
每个二极管电压
(1)
最大反向电流每二极管
典型结电容每二极管
记
(1)
测试条件
I
F
= 12.5 A
为V
R
4.0 V， 1 MHz的
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
T
A
= 25 °C
T
A
= 125 °C
符号
V
F
I
R
C
J
典型值。
0.97
0.87
-
120
125
马克斯。
1.05
0.95
5.0
350
-
单位
V
A
pF
脉冲试验： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
典型热阻
笔记
(1)
(2)
符号
R
θJC
(1)
R
θJA
(2)
BU2506
BU2508
2.0
20
BU2510
单位
° C / W
用60瓦的风冷散热器
没有散热片，自由的空气
订购信息
（例）
首选的P / N
BU2506-M3/45
BU2506-M3/51
BU25065S-M3/45
单位重量（g ）
4.84
4.84
4.84
首选包装代码
45
51
45
基地数量
20
250
20
配送方式
管
纸盒
管
额定值和特性曲线
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
30
5
同
散热器
正弦波， R负载
25
正向平均整流电流（ A）
平均正向输出电流（ A）
4
20
3
15
T
C
T
C
2
没有
散热器
正弦波， R负载
自由的空气，T
A
10
5
T
C
测量设备底部
0
20
40
60
80
100
120
140
160
1
0
0
0
25
50
75
100
125
150
外壳温度（ ° C）
环境温度（ ℃）
图1.降额曲线输出整流电流
图2.正向电流降额曲线
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BU2506通BU2510
威世通用半导体
50
1000
瞬时反向电流（ μA ）
前向功率耗散（ W）
T
J
= 150 °C
100
T
J
= 125 °C
10
40
30
20
1
T
J
= 25 °C
0.1
10
0
0
5
10
15
20
25
30
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
平均正向电流（ A）
百分比额定峰值反向
电压
(%)
图3.前向功率耗散
图5.典型的反向特性每二极管
100
1000
T
J
= 150 °C
正向电流（A ）
10
T
J
= 125 °C
1
结电容（pF ）
1.1
1.2
100
T
J
= 25 °C
0.1
0.01
0.3
10
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.1
1
10
100
正向
电压
(V)
反向
电压
(V)
图4.典型正向特性每二极管
图6.典型结电容每二极管
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威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
案例类型BU
0.880 (22.3)
0.860 (21.8)
0.020R （ TYP 。 ）
0.125 (3.2) x 45°
倒角
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.740 (18.8)
0.720 (18.3)
0.085 (2.16)
0.065 (1.65)
5°
典型值。
0.048 (1.23)
0.039 (1.00)
0.710 (18.0)
0.690 (17.5)
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.100 (2.54)
0.085 (2.16)
9°
典型值。
0.161 (4.10)
0.142 (3.60)
意见
A
0.080 (2.03)
0.060 (1.52)
0.075
(1.9) R
+
~
~
-
0.190 (4.83)
0.210 (5.33)
0.080 (2.03)
0.065 (1.65)
0.028 (0.72)
0.020 (0.52)
在案件的正面显示极性，正极引线
斜
角落
0.055 （ 1.385 ） REF 。
0.094 （ 2.39 ）× 45 ° REF 。
R 0.11
（ 2.78 ） REF 。
0.64 （ 16.28 ） REF 。
0.62 （ 15.78 ） REF 。
R 0.10
（ 2.60 ） REF 。
0.055 （ 1.385 ） REF 。
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BU2506通BU2510
威世通用半导体
成型规格： BU- 5S
以英寸（毫米）
0.161 (4.10)
0.142 (3.60)
0.880 (22.3)
0.860 (21.8)
0.125 (3.2) x 45°
倒角
0.020R （ TYP 。 ）
0.310 (7.9)
0.290 (7.4)
0.740 (18.8)
0.720 (18.3)
9°
典型值。
0.160 (4.1)
0.140 (3.5)
0.075
(1.9) R
0.080 (2.03)
0.060 (1.52)
+
~ ~
-
0.085 (2.16)
0.065 (1.65)
0.100 (2.54)
0.085 (2.16)
0.219 (5.55)
马克斯。
5°
典型值。
0.050 (1.27)
0.040 (1.02)
0.213 (5.40)
0.173 (4.40)
0.417 (10.60)
0.370 (9.40)
0.134 (3.40)
0.087 (2.20)
0.319 (8.10)
0.272 (6.90)
0.319 (8.10)
0.272 (6.90)
0.315 (8.0)
0.276 (7.0)
0.028 (0.72)
0.020 (0.52)
0.080 (2.03)
0.065 (1.65)
应用说明
（ 1 ）设备的UL批准的1500五，安全使用的介电强度
（2）如果装置被装在浮动接地（FG ）的应用，绝缘体，建议使用以满足安全要求。
（ 3 ）散热片造型推荐：
(3)
散热器
2.5毫米MIN 。
2.5毫米MIN 。
按安全要求
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