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PD - 95462
IRF7389PbF
HEXFET
功率MOSFET
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第五代技术
超低导通电阻
免费半桥
表面贴装
全额定雪崩
LEAD -FREE
S1
G1
S2
G2
N沟道MOSFET
1
8
2
3
4
7
D1
D1
D2
D2
N沟道
V
DSS
30V
P沟道
-30V
6
5
P沟道MOSFET
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术，以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这
益处，结合快速开关速度和
坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率
MOSFET是众所周知的，为设计者提供
用一个非常有效和可靠的装置，用于使用
在各种各样的应用中。
采用SO-8已经通过定制进行了修改
引线框架用于增强热性能和
多模能力使它成为理想的各种
电源应用。有了这些改进，
多个设备可以在一个应用程序中使用
大大减少了电路板空间。该包是
专为气相，红外，或波峰焊
技术。
顶视图
R
DS （ ON）
0.029 0.058
SO-8
绝对最大额定值（T
A
= 25 ° C除非另有说明）
符号
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
T
A
= 25°C
T
A
= 70°C
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J,
T
英镑
82
4.0
0.20
3.8
-2.2
-55 + 150 C
N沟道
30
7.3
5.9
30
2.5
2.5
1.6
140
-2.8
最大
P沟道
-30
± 20
-5.3
-4.2
-30
-2.5
单位
V
漏电流脉冲
连续源电流（二极管传导）
T
A
= 25°C
最大功率耗散
T
A
= 70°C
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
A
W
mJ
A
mJ
V / ns的
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
符号
R
θJA
极限
50
单位
° C / W
www.irf.com
1
6/29/04
