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IRF7389PbF
2.0
N沟道
0.040
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
I
D
= 5.8A
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
0.036
V
GS
= 4.5V
1.5
0.032
1.0
0.028
0.5
0.024
V
GS
= 10V
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.020
0
10
20
30
40
A
T
J
，结温（
°
C)
I
D
，漏电流（ A）
图5 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
图6 。
典型导通电阻比。漏
当前
R
DS
（上） ，漏极 - 源极导通电阻（ Ω ）
E
AS
，单脉冲雪崩能量（兆焦耳）
0.12
200
顶部
160
0.10
底部
I
D
D
1.8A
3.2A
4.0A
0.08
120
0.06
I
D
= 5.8A
0.04
80
0.02
40
0.00
0
3
6
9
12
15
A
0
25
50
75
100
125
150
A
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
起始物为
J
，结温（ ° C）
图7 。
典型导通电阻比。门
电压
图8 。
最大雪崩能量
与漏电流
4
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