FDMC86240 N沟道功率沟槽
MOSFET
典型特征
T
J
= 25 C ，除非另有说明
20
V
GS
= 5 V
归
漏极至源极导通电阻
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
V
GS
= 5.5 V
3.0
V
GS
= 4.5 V
I
D
,
漏电流（ A）
15
2.5
V
GS
= 5 V
2.0
1.5
1.0
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
V
GS
= 6 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5.5 V
10
V
GS
= 4.5 V
5
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
,
漏源极电压（ V）
0.5
0
5
10
15
20
I
D
,
漏极电流（ A）
图1.区域特征
图2.归一导通电阻
VS漏极电流和栅极电压
200
源导通电阻
(
m
Ω
)
2.2
归
漏极至源极导通电阻
2.0
1.8
I
D
= 4.6 A
V
GS
= 10 V
r
DS （ON ） ，
漏
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
150
I
D
= 4.6 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
-75
-50
-25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
,
结温
(
o
C
)
100
T
J
= 125
o
C
50
T
J
= 25
o
C
0
4
5
6
7
8
9
10
V
GS
,
门源电压（ V）
图3.归一导通电阻
VS结温
20
脉冲持续时间= 80
μ
s
占空比= 0.5 ％ MAX
I
S
，反向漏电流（ A）
图4.导通电阻与栅极到
源极电压
20
10
V
GS
= 0 V
I
D
，漏电流（ A）
15
V
DS
= 5 V
1
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
0.1
5
T
J
= -55
o
C
0.01
T
J
= -55
o
C
0
2
3
4
5
6
V
GS
，门源电压（ V）
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
，体二极管正向电压（ V）
图5.传输特性
图6.源极到漏极二极管
正向电压随电流源
FDMC86240 Rev.C
3
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