FDMC86240 N沟道功率沟槽
MOSFET
2010年7月
FDMC86240
N沟道功率沟槽
MOSFET
150 V， 16 A ， 51毫欧
特点
最大
DS （ ON）
= 51毫欧，在V
GS
= 10 V，I
D
= 4.6 A
最大
DS （ ON）
= 70毫欧，在V
GS
= 6 V，I
D
= 3.9 A
薄型 - 1 mm最大电力33
100 ％ UIL测试
符合RoHS
概述
这N沟道MOSFET采用飞兆半导体生产
安森美半导体先进电源海沟
过程中有
特别是针对已尽量减少通态电阻和
同时保持出色的开关性能。
应用
直流 - 直流转换
顶部
销1
S
S
S
G
底部
D
D
D
D
D
D
D
8
1
S
5
6
7
4
3
2
G
S
S
D
MLP 3.3X3.3
MOSFET的最大额定值
T
A
= 25 C ，除非另有说明
符号
V
DS
V
GS
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流 - 连续（包装有限公司）
I
D
- 连续（硅有限公司）
-Continuous
-Pulsed
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
单脉冲雪崩能量
功耗
功耗
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
（注3）
T
C
= 25 °C
T
C
= 25 °C
T
A
= 25 °C
（注1A ）
参数
评级
150
±20
16
19
4.6
20
34
40
2.3
-55到+150
mJ
W
°C
A
单位
V
V
工作和存储结温范围
热特性
R
θJC
R
θJA
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
（注1A ）
3.1
53
° C / W
包装标志和订购信息
器件标识
FDMC86240
设备
FDMC86240
包
电源33
1
带尺寸
13 ’’
胶带宽度
12 mm
QUANTITY
3000台
2010仙童半导体公司
FDMC86240 Rev.C
www.fairchildsemi.com
