IXTA140P05T IXTP140P05T
IXTH140P05T
图。 7.输入导纳
-180
-160
-140
80
-120
25C
125C
T
J
= 125C
25C
- 40C
100
T
J
= - 40C
图。 8.跨导
-100
-80
-60
-40
-20
0
-2.5
g
F小号
- 西门子
-5.5
-6.0
-6.5
I
D
- 安培
60
40
20
0
-3.0
-3.5
-4.0
-4.5
-5.0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-120
-140
-160
-180
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
-300
-10
-9
-250
-8
-7
V
DS
= - 25V
I
D
= - 70A
I
G
= -1mA
图。 10.栅极电荷
-200
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
-6
-5
-4
-3
-2
-1
-150
-100
-50
0
-0.4
0
-0.5
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-1.1
-1.2
-1.3
-1.4
-1.5
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
- 1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
R
DS （ ON）
极限
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
西塞
10,000
- 100
25s
100s
I
D
- 安培
科斯
1,000
CRSS
外部引线
电流限制
1ms
- 10
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
10ms
100ms
DC
100
0
-5
-10
-15
-20
-25
-30
-35
-40
-1
-1
- 10
- 100
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
