TrenchP
TM
功率MOSFET
P沟道增强模式
额定雪崩
IXTA140P05T
IXTP140P05T
IXTH140P05T
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
=
=
≤
- 50V
- 140A
9mΩ
Ω
TO- 263 AA （ IXTA ）
G
S
D（ TAB ）
TO- 220AB （ IXTP ）
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
LRMS
I
DM
I
A
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
1.6毫米（ 0.062英寸）从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩（ TO- 220 & TO- 247 ）
TO-263
TO-220
TO-247
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C，R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C（芯片功能）
铅电流限制， RMS
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
- 50
- 50
±15
±25
-140
-120
- 420
- 70
1
298
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
260
1.13/10
2.5
3.0
6.0
V
V
V
V
A
A
A
A
J
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
国际标准封装
额定雪崩
扩展FBSOA
快速内在二极管
低R
DS （ ON）
和Q
G
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0V时，我
D
= - 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= - 250μA
V
GS
=
±
15V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS ，
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
分钟。
典型值。马克斯。
- 50
- 2.0
- 4.0
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
高侧开关
推挽放大器
直流斩波器
自动测试设备
电流调节器
充电器中的应用
DS100027C(01/13)
G
DS
D（ TAB ）
TO- 247 （ IXTH ）
G
D
S
D（ TAB ）
G =门
S =源
D
=漏
TAB =漏
特点
±100
nA
-10
μA
- 750
μA
9 mΩ
V
GS
= -10V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
2013 IXYS公司，版权所有
