\u003c小信号晶体管\u003e
ISA1235AC1 ISA1602AM1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
典型特征
集电极耗散
VS环境温度
250
共发射极输出
-50
IB=-0.2mA
IB=-0.18mA
IB=-0.16mA
IB=-0.14mA
集电极耗散PC（毫瓦）
集电极电流IC （MA ）
200
-40
IB=-0.12mA
IB=-0.10mA
150
-30
IB=-0.08mA
IB=-0.06mA
100
-20
IB=-0.04mA
50
-10
IB=-0.02mA
IB=0mA
0
0
50
100
150
环境温度Ta（ ℃ ）
-0
-0
-1
-2
-3
-4
-5
·集电极发射极电压VCE （ V）
集电极到发射极饱和电压
VS集电极电流
基地发射极饱和电压
VS集电极电流
-10.0
基地发射极饱和电压
VBE （饱和） （V）的
集电极到发射极饱和电压
VCE （ SAT ） （MV ）
-1000
IC/IB=10
IC/IB=10
Ta=100℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
TA = 100 ℃ TA = 25 ℃ TA = -40 ℃
-1.0
-100
-10
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
集电极电流IC （MA ）
共发射极转移
-1
VCE=-6V
集电极电流IC （MA ）
共发射极转移
-100
VCE=-6V
集电极电流IC （MA ）
Ta=100℃
-0.6
Ta=25℃
-0.4
Ta=-40℃
集电极电流IC （MA ）
-0.8
-80
-60
Ta=100℃
-40
Ta=25℃
Ta=-40℃
-20
-0.2
-0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
基地发射极电压VBE （ V）
-0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
基地发射极电压VBE （ V）
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