\u003c小信号晶体管\u003e
ISA1235AC1 ISA1602AM1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
ISA1235AC1 ISA1602AM1是超迷你
封装树脂密封PNP硅外延型
晶体管。
这是专为低频电压
扩大应用。
ISA1235AC1
2.5
1.5
外形绘图
ISA1602AM1
2.1
0.425 1.2 0.425
0.4
2.0
1.3
0.65 0.65
单位：mm
0.5
0.5
2.9
1.9
0.95 0.95
特征
●优良的直流线性度正向电流增益。
·小集电极到发射极饱和电压
VCE(sat)=-0.3Vmax
①
②
③
①
②
③
0.16
应用
对于小型机器的低频电压
扩大应用。
0.8
0½0.1
JEITA：SC-59
JEDEC ： TO- 236相似
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0.7
0½0.1
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
最大额定值（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
ISA1235AC1 ISA1602AM1
-60
-6
-50
-200
200
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
记号
.
MF
项目的hFE
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
Ｉ
EＢＯ
½
ＦＥ
*
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
½
Ｔ
COB
NF
参数
集电极到发射极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
测试条件
I
C
=-100μA，R
BE
=∞
V
CB
=-60V，I
E
=0
V
EB
=-6V，I
C
=0
V
CE
=-6V，I
C
=-1mA
V
CE
=-6V，I
C
=-0.1mA
I
C
=-100mA，I
B
=-10mA
V
CE
=-6V，I
E
=10mA
V
CB
=-6V，I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-6V，I
E
=0.3mA，
f=100Hz，RG=10kΩ
民
-50
范围
AVE
最大
-0.1
-0.1
500
-0.3
200
4.0
20
E
150½300
单位
V
μA
μA
－
－
V
兆赫
pF
dB
F
250½500
150
90
*：它显示在下面的表的hFE分类。
½FE
谏早电子股份有限公司
0.15
1.1
0.9
0.3
市场营销事业部，营销策划部
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jan.2007
\u003c小信号晶体管\u003e
ISA1235AC1 ISA1602AM1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
描述
ISA1235AC1 ISA1602AM1是超迷你
封装树脂密封PNP硅外延型
晶体管。
这是专为低频电压
扩大应用。
ISA1235AC1
2.8
1.5
外形绘图
ISA1602AM1
2.1
0.425 1.25 0.425
单位：mm
0.65
0.65
0.4
2.8
1.9
0.95 0.95
2.0
1.3
0.65 0.65
特征
●优良的直流线性度正向电流增益。
·小集电极到发射极饱和电压
VCE(sat)=-0.3Vmax
①
②
③
①
②
③
0.13
应用
对于小型机器的低频电压
扩大应用。
0.8
0½0.1
JEITA：SC-59
JEDEC ： TO- 236相似
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
0.7
0½0.1
JEITA：SC-70
JEDEC ： -
端子连接器
内部BASE
② ：辐射源
--Collector
最大额定值（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
ＣＢＯ
Ｖ
ＥＢＯ
Ｖ
ＣＥＯ
Ｉ
Ｃ
Ｐ
Ｃ
Ｔ½
Ｔ½½½
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散
结温
储存温度
评级
ISA1235AC1 ISA1602AM1
-60
-6
-50
-200
200
+150
-55½+150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
记号
.
MF
项目的hFE
电气特性（Ta = 25℃）
符号
Ｖ
（ＢＲ）ＣＥＯ
Ｉ
ＣＢＯ
Ｉ
EＢＯ
½
ＦＥ
*
½
ＦＥ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
½
Ｔ
COB
NF
参数
集电极到发射极击穿电压
收藏家切断电流
发射器切断电流
正向直流电流增益
正向直流电流增益
集电极到发射极饱和电压
增益带宽积
集电极输出电容
噪声系数
测试条件
I
C
=-100μA，R
BE
=∞
V
CB
=-60V，I
E
=0
V
EB
=-6V，I
C
=0
V
CE
=-6V，I
C
=-1mA
V
CE
=-6V，I
C
=-0.1mA
I
C
=-100mA，I
B
=-10mA
V
CE
=-6V，I
E
=10mA
V
CB
=-6V，I
E
=0,f=1MHz
V
CE
=-6V，I
E
=0.3mA，
f=100Hz，RG=10kΩ
民
-50
－
－
150
90
－
－
－
－
范围
AVE
－
－
－
－
－
－
200
4.0
－
最大
－
-0.1
-0.1
500
－
-0.3
－
－
20
单位
V
μA
μA
－
－
V
兆赫
pF
dB
*：它显示在下面的表的hFE分类。
½FE
E
150½300
F
250½500
谏早电子股份有限公司
0.15
1.1
0.9
0.3
\u003c小信号晶体管\u003e
ISA1235AC1 ISA1602AM1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
典型特征
集电极耗散
VS环境温度
250
共发射极输出
-50
IB=-0.2mA
IB=-0.18mA
IB=-0.16mA
IB=-0.14mA
集电极耗散PC（毫瓦）
集电极电流IC （MA ）
200
-40
IB=-0.12mA
IB=-0.10mA
150
-30
IB=-0.08mA
IB=-0.06mA
100
-20
IB=-0.04mA
50
-10
IB=-0.02mA
IB=0mA
0
0
50
100
150
环境温度Ta（ ℃ ）
-0
-0
-1
-2
-3
-4
-5
·集电极发射极电压VCE （ V）
集电极到发射极饱和电压
VS集电极电流
基地发射极饱和电压
VS集电极电流
-10.0
基地发射极饱和电压
VBE （饱和） （V）的
集电极到发射极饱和电压
VCE （ SAT ） （MV ）
-1000
IC/IB=10
IC/IB=10
Ta=100℃
Ta=25℃
Ta=-40℃
TA = 100 ℃ TA = 25 ℃ TA = -40 ℃
-1.0
-100
-10
-0.1
-1
-10
-100
-1000
-0.1
-0.1
-1
-10
-100
-1000
集电极电流IC （MA ）
共发射极转移
-1
VCE=-6V
集电极电流IC （MA ）
共发射极转移
-100
VCE=-6V
集电极电流IC （MA ）
Ta=100℃
-0.6
Ta=25℃
-0.4
Ta=-40℃
集电极电流IC （MA ）
-0.8
-80
-60
Ta=100℃
-40
Ta=25℃
Ta=-40℃
-20
-0.2
-0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
基地发射极电压VBE （ V）
-0
-0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1
基地发射极电压VBE （ V）
谏早电子股份有限公司
\u003c小信号晶体管\u003e
ISA1235AC1 ISA1602AM1
低频AMPLIFY应用
PNP硅外延型
正向直流电流增益
VS集电极电流
-10000
VCE=-6V
400
VCE=-6V
增益带宽积
与发射极电流
正向直流电流增益hFE （ - ）
TA = 40℃ TA = 25 ℃的Ta = 100 ℃
-1000
增益带宽积的fT [兆赫]
300
200
-100
100
-10
-0.1
0
-1
-10
-100
-1000
0.1
1
10
100
集电极电流IC （MA ）
集电极输出电容
VS集电极 - 基极电压
发射极输入电容
VS发射器基极电压
发射极电流IE [马]
100
集电极输出电容科夫（PF ）
发射极输入电容CIB （PF ）
Ta=25℃
f=1MHz
10
兴业银行
COB
1
0.1
1
10
100
集电极基极电压VCB （ V）
发射器基极电压VEB （ V）
谏早电子股份有限公司
6-41筑波，谏早，长崎， 854-0065日本
保持安全第一在你的电路设计！
·
谏早电子公司把最大精力投入到制造半导体产品的质量和可靠性，但
总是有麻烦可能与他们发生的可能性。麻烦半导体可能会导致人身伤害，火灾或
财产损失。记得让你的电路设计时，充分考虑到安全性给予，用适当的措施
如（1）放置替代的，辅助的，（2）使用非可耕种材料或（3）防止对任何故障或
硬伤。
对于这些材料的注意事项
·
这些材料的目的是作为参考，客户在谏早的产品的选择最适合的
客户的应用;不传达任何许可下的任何知识产权，或任何其他权利，属于
谏早或第三方。
·
谏早电子公司不承担任何损害任何第三方的权利，或侵犯任何责任，
原产于使用包含在这些材料的任何产品数据，图，表或电路的应用实例。
·
包含在这些资料，包括产品数据，图形和图表的所有信息，代表了产品信息
在公布这些材料的时候，并须接受谏早电子公司更改，恕不另行通知
由于产品改进或其他原因。因此，建议客户联系谏早电子
公司或授权的谏早的产品分销商购买产品上市前的最新产品信息
在本文中。
·
谏早电子株式会社产品不是专门设计或制造用于在设备或系统一起使用，用于
在何种情况下人类生活的潜在威胁。请联系谏早电子公司或
考虑到产品的所包含的任何特定目的使用时，谏早授权产品分销商，
如设备或系统，交通运输，汽车，医疗，航空航天，核能，或海底中继器的使用。
·
谏早电子公司的事先书面批准，不得翻印或者复制全部或部分这些
材料。
·
如果这些产品或技术受日本出口管制的限制，他们必须在一个出口
日本政府许可，不能导入超过核定目的地之外的国家。任何
转移或再出口反而对TE出口管制法律和日本的法规和/或目的国是
h
禁止的。
·
请联系谏早电子公司或其授权的谏早的产品分销商对这些进一步的细节
材料或其中包含的产品。
Jul.2013
QQ：2880707522 复制
