ADL5350
应用信息
低频应用
在ADL5350可以在低频应用中使用。该
电路在图59被设计为136兆赫至176兆赫的射频
和使用45 MHz的中频的高侧LO 。该系列
并联谐振电路被调谐为154兆赫，这是
所希望的RF频率的几何平均值。该
该电路的性能示于图60 。
3V
4.7F
100nF
IF
10nF
36nH
8
所有的电感器
ARE 0603CS
串联起
Coilcraft公司
射频/中频
27pF
7
NC
6
VPOS
100nH
IF
1nF
1.5nH
8
0.7pF
7
NC
6
VPOS
2.1nH
5
GND1
高频率的应用
在ADL5350可在扩展的频率与使用
一些密切注意板和元件的寄生效应。
图61是一个2560兆赫至2660兆赫向下的一例
转换使用低侧LO 。该电路的性能
在图62说明中描绘的电感器和电容器
值是非常小的，特别是用于RF和IF端口。以上
2.5千兆赫，它需要考虑替代的解决方案，以避免
不合理的小型电感器和电容器的值。
3V
4.7F
+
100pF
5
GND1
ADL5350
射频/中频
1
GND2
2
腰部
3
1nF
05615-061
NC
4
所有的电感器
ARE 0302CS
串联起
Coilcraft公司
射频/中频
ADL5350
射频/中频
1
GND2
2
腰部
3
NC
4
RF
36nH
27pF
LO
0.67nH
RF
3.0nH
1pF
100pF
LO
05615-062
图59. 136 MHz至176 MHz的RF下变频原理
40
IIP3
12
图61. 2560 MHz至2660 MHz的RF下变频原理
10
转换损耗（dB ）
35
35
30
25
IP1dB ， IIP3 （ dBm的）
14
13
12
11
10
9
损失
8
7
2660
转换损耗（dB ）
05615-066
IP1dB ， IIP3 （ dBm的）
30
8
IIP3
25
损失
20
IP1dB
6
4
20
15
10
IP1dB
15
2
146
156
射频频率（ MHz）的
166
05615-065
10
136
0
176
5
0
2560
图60.图59实测性能的电路
使用高端LO注入和45 MHz的IF
2580
2600
2620
2640
射频频率（ MHz）的
图62.图61实测性能的电路
使用低端LO注入和374 MHz的IF
使用下面的蜂窝应用的典型网络
2.6 GHz的使用频段选择和带阻网络的RF上
和IF端口。在较高的RF频率，这些网络是不
通过使用集总元件的组件很容易地实现。其结果，它
有必要考虑备用滤波器的网络拓扑结构以
允许电感器和电容器更合理的值。
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