ADL5350
功能说明
电路描述
该ADL5350是GaAs pHEMT制，单端，被动
混频器集成LO缓冲放大器。该装置
依赖于不同的漏极到源极通道电导
一个场效应晶体管结的调制的RF信号。简化
示意图示于图57 。
V
S
RF
输入
或输出
实施程序
在ADL5350是一种依赖一个简单的单端混频器
在片外电路来实现有效的RF动态
性能。以下步骤应遵循
为实现最佳性能（参见图58，用于
部件名称） ：
V
S
IF
C6
L2
C2
8
射频/中频
7
NC
6
VPOS
C4
VPOS
RF
IF
IF
产量
或INPUT
L4
5
GND1
LO
输入
腰部
ADL5350
GND1
GND2
05615-057
射频/中频
1
RF
L1
C1
GND2
2
腰部
3
L3
NC
4
图57.原理示意图
LO信号被施加到的基于FET的栅极接触
缓冲放大器。缓冲放大器提供足够的
LO信号的增益来驱动电阻开关。另外，
反馈电路提供必要的偏置到FET
缓冲放大器和RF / IF端口，以实现最佳
调制效率，共同蜂窝频率。
RF和LO信号的混合是通过切换实现
从RF信道电导/ IF端口处接地
LO的速率。该RF信号通过外部传递
带通网络，有助于抑制图像的乐队和减少
宽带噪声呈现给混频器。然而，其带宽
有限的RF信号被提供给的随时间变化的负载
在射频/中频端口，它使RF信号的包络
为振幅在LO的速率调制。过滤器
施加到IF端口网络必须拒绝该
RF信号，并通过在对需要的混合产物。在一个向下
转换应用程序时， IF滤波器网络被设计为
通过不同的频率呈现开路
于入射的RF频率。同样，对于上转换
应用中，过滤器被设计为通过和频
并拒绝RF事件。其结果是，频率响应
混合器是由响应特性来确定
外部的RF / IF滤波网络。
LO
图58.参考电路图
表7示出了推荐的LO偏置电感
值的各种振频率。为了确保有效
混频器的换向，偏置电感需要
正确设置。对范围内的其它频率
示，可以将这些值进行内插。对于频率
超出此范围，请参见应用信息部分。
表7.推荐LO偏置电感
所需的LO频率（MHz ）
380
750
1000
1750
2000
1
推荐LO偏置
电感L4
1
（ NH）
68
24
18
3.8
2.1
偏置电感应该比自谐振频率大
预定的频率下工作的。
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05615-058
C3
