BZX384-Series

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威世半导体

V

9

8

7

V

Z

在我

Z

= 2毫安

51

Ω

100

7

5

4

R

zj

3

2

Δ

V

Z

6

5

10

7

5

4

3

2

4

3

2

1

T

j

= 25 °C

I

Z

= 5毫安

1

2

3

4 5

43

36

0

-1

0

18194

1

10

2

I

Z

= 2毫安

20

40

60

80 100 120

140 °C

3 4 5

100

V

18122

V

Z

T

j

图。 7 -

动态电阻与齐纳电压

图。 10 -

更改齐纳电压与结温

毫伏/°C的

25

毫伏/°C的

100

I

Z

= 5毫安

Δ

V

Z

Δ

T

j

20

15

10

5

0

-5

1

18135

2

3

4 5

I

Z

=

5毫安

1毫安

20毫安

Δ

V

Z

Δ

T

j

80

60

40

20

10

2

3 4 5

100

V

0

0

18195

V

Z

在我

Z

= 5毫安

V

≥

27

V,

I = 2毫安

20

40

60

80

100

V

V

Z

在我

Z

= 2毫安

图。 8 - 温度的齐纳电压与依赖

齐纳电压

图。 11 -

齐纳电压与温度的关系

齐纳电压

V

0.8

0.7

0.6

V

Z

在我

Z

= 5毫安

25

15

10

V

1.6

1.4

1.2

8

7

6.2

5.9

5.6

5.1

Δ

V

Z

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0

-1

- 0.2

0

18124

3.6

4.7

Δ

V

Z

Δ

V

Z

= r

ZTH

X我

Z

I

Z

= 5毫安

V

Z

≥

27

V;

I

Z

= 2毫安

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

- 0.2

- 0.4

1

18196

2

3

4 5

20

40

60

80

100 120 140 C

10

2

3 4 5

100

V

T

j

V

Z

在我

Z

= 5毫安

图。 9 - 更改齐纳电压与结温

图。 12 -

更改齐纳电压从打开上最多的点

热平衡与齐纳电压

修订版1.9 ， 08月， 13

文档编号： 85764

5

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