BZX384-Series

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典型特征

(T

AMB

= 25 ℃，除非另有规定）

mA

10

3

10

2

威世半导体

Ω

100

T

J

= 25 °C

5

4

I

F

10

1

10

-1

10

-2

T

J

= 100 °C

r

zj

3

2

33

27

22

18

15

12

10

6.8/8.2

6.2

10

T

J

= 25 °C

5

4

3

2

10

-3

10

-4

10

-5

0

18114

1

0.2

0.4

0.6

0.8

1V

0.1

18119

2

5

1

2

5

V

F

10

I

Z

2

5

百毫安

图。 1 -

正向特性

图。 4 - 动态电阻与齐纳电流

mW

250

Ω

10

3

7

T

j

= 25 °C

200

5

4

P

合计

150

R

zj

3

2

47 + 51

43

39

36

10

2

100

7

5

4

3

2

50

0

0

18192

100

200 °C

10

0.1

18120

2

3

4 5

1

2

3 4 5

T

AMB

I

Z

10

mA

图。 2 -

受理的功耗对比

环境温度

图。 5 -

动态电阻与齐纳电流

Ω

1000

5

4

3

2

Ω

10

3

T

J

= 25 °C

5

4

3

2

R

ZTH

= R

THA

x

V

Z

x

Δ

V

Z

Δ

T

j

r

zj

R

ZTH

100

5

4

3

2

10

2

5

4

3

2

10

5

4

3

2

10

2.7

3.6

4.7

5.1

5.6

5

4

3

2

负

积极

1

0.1

18117

2

5

1

1

18121

2

3

4 5

1

2

5

10

I

Z

2

5

百毫安

10

2

3 4 5

100

V

V

Z

在我

Z

= 5毫安

图。 3 -

动态电阻与齐纳电流

图。 6 -

热微分电阻与齐纳电压

修订版1.9 ， 08月， 13

文档编号： 85764

4

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