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IRSM836-035MA
推荐工作条件
符号
V+
V
S1,2,3
V
B1,2,3
V
CC
V
IN
F
p
描述
正直流母线输入电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动电源电压
低侧和逻辑电源电压
LIN， HIN ，我的输入电压
旅
， EN ， FLT
PWM载波频率
民
---
（注3）
V
S
+12
13.5
0
---
最大
400
400
V
S
+20
16.5
5
20
单位
V
V
V
V
V
千赫
的输入/输出逻辑图如图1所示。为了正常工作的模块内应使用
推荐的条件。所有电压都绝对参考COM 。在V
S
偏移测试与所有供应偏置电压为15V
差。
注3 ：逻辑运算的V
s
从COM - 5V到COM + 250V 。举办了V逻辑状态
s
从COM - 5V到COM -V
BS
.
静态电气特性
(V
CC
-COM ） = （V
B
-V
S
） = 15 V.牛逼
A
= 25℃ ，除非另有规定。在V
IN
我
IN
参数是参考V
SS
并
适用于所有六个通道。在V
CCUV
参数是参考V
SS
。在V
BSUV
参数是参考V
S
.
符号
BV
DSS
I
LKH
I
LKL
R
DS （ ON）
V
IN， TH +
V
IN， TH-
V
CCUV + ，
V
BSUV +
V
CCUV- ，
V
BSUV-
V
CCUVH ，
V
BSUVH
I
QBS
I
QCC
I
QCC ，ON
I
IN +
I
IN-
I
TRIP +
I
TRIP-
V
IT， TH +
V
IT， TH-
描述
漏极至源极击穿电压
高侧FET在泄漏电流
并行
低边FET在泄漏电流
同时加上栅极驱动IC
漏极至源极导通电阻
正向输入阈值
负向输入阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压，
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压，
负门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压
锁定迟滞
静态V
BS
电源电流V
IN
=0V
静态V
CC
电源电流V
IN
=0V
静态V
CC
电源电流V
IN
=4V
输入偏置电流V
IN
=4V
输入偏置电流V
IN
=0V
I
旅
偏置电流V
ITRIP
=4V
I
旅
偏置电流V
ITRIP
=0V
I
旅
阈值电压
I
旅
阈值电压
---
2.5
---
8
7.4
---
---
---
---
---
---
---
---
0.37
---
民
500
典型值
---
10
15
1.85
---
---
8.9
8.2
0.7
---
---
---
100
--
5
--
0.46
0.4
2.2
---
0.8
9.8
9
---
125
3.35
10
160
1
40
1
0.55
---
最大
---
单位
V
A
A
Ω
V
V
V
V
V
A
mA
mA
A
A
A
A
V
V
条件
T
J
= 25 ° C，I
LK
=250A
T
J
= 25 ° C，V
DS
=500V
T
J
= 25 ° C，V
DS
=500V
T
J
= 25 ° C，V
CC
= 15V ，ID = 1A
o
3
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2013国际整流器
2013年2月3日
