IRSM836-035MA
3A ， 500V
集成功率模块
小家电电机驱动应用
描述
IRSM836-035MA是3A ， 500V集成功率模块（ IPM ），专为先进的家电电机驱动器
应用，如高效节能风机和水泵。 IR的技术提供了一个非常紧凑的，高
高性能交流马达驱动器在一个孤立的包。这种先进的IPM提供了IR的低R的组合
DS （ ON）
沟槽MOSFET技术和行业标杆的3相电压高，坚固耐用的驱动器在一个小PQFN
封装。只有12x12mm ，并具有集成的自举功能，这surface-的紧凑
贴装封装使得它适合于那些空间受限的应用。集成的过电流保护，
故障报告和欠压锁定功能，提供高防护级别和故障安全操作。
IRSM836-035MA功能而不散热器。
特点
集成门极驱动器和自举功能
开源的腿分流检测
保护关断引脚
低R
DS （ ON）
海沟FREDFET
欠压锁定所有通道
匹配的传播延迟对所有信道
优化的dV / dt的损失和电磁干扰权衡
3.3V施密特触发高电平输入逻辑
跨导预防逻辑
电机功率可达110W ，无散热片
隔离1500VRMS分钟
IRSM836-035MA
基本零件编号
套餐类型
36L
PQFN 12× 12毫米
标准包装
形式
磁带和卷轴
TRAY
QUANTITY
2000
800
订购型号
IRSM836-035MATR
IRSM836-035MA
IRSM836-035MA
所有的部件号的PbF
1
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2013国际整流器
2013年2月3日
IRSM836-035MA
内部电气原理图
VB1 VB2 VB3
IRSM836-035MA
V+
VCC
HIN1
HIN2
HIN3
LIN1
LIN2
LIN3
故障
ITRIP
EN
RCIN
600V
3-Phase
司机
HVIC
U， VS1
五， VS2
W， VS3
COM
VSS
VRU
VRV
VRW
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏模块。这些都不在测试
制造业。所有电压参数值为基于VSS的绝对电压，除非在表中另外说明。
符号
BV
DSS
I
O
@ T = 25°C
I
OP
P
d
@ T
C
=25°C
V
ISO
T
J
T
L
T
S
V
S1,2,3
V
B1,2,3
V
CC
描述
MOSFET的阻断电压
每个MOSFET的DC输出电流
脉冲输出电流（注1 ）
每个MOSFET的最大功率耗散
隔离电压（ 1分钟） （注2 ）
工作结温
引线温度（焊接， 30秒）
储存温度
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动电源电压
低侧和逻辑电源电压
民
---
---
---
---
---
-40
---
-40
V
B1,2,3
- 20
-0.3
-0.3
V
SS
-0.3
最大
500
3
20
36
1500
150
260
150
V
B1,2,3
+0.3
500
20
V
CC
+0.3
单位
V
A
W
V
RMS
°C
°C
°C
V
V
V
V
V
IN
LIN， HIN ，我的输入电压
旅
， EN ， RCIN ， FLT
注1 ：脉冲宽度= 100μs的， TC = 25°C ，占空比为1 ％ 。
注2 ：特征，而不是在生产测试
2
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2013年2月3日
IRSM836-035MA
推荐工作条件
符号
V+
V
S1,2,3
V
B1,2,3
V
CC
V
IN
F
p
描述
正直流母线输入电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动电源电压
低侧和逻辑电源电压
LIN， HIN ，我的输入电压
旅
， EN ， FLT
PWM载波频率
民
---
（注3）
V
S
+12
13.5
0
---
最大
400
400
V
S
+20
16.5
5
20
单位
V
V
V
V
V
千赫
的输入/输出逻辑图如图1所示。为了正常工作的模块内应使用
推荐的条件。所有电压都绝对参考COM 。在V
S
偏移测试与所有供应偏置电压为15V
差。
注3 ：逻辑运算的V
s
从COM - 5V到COM + 250V 。举办了V逻辑状态
s
从COM - 5V到COM -V
BS
.
静态电气特性
(V
CC
-COM ） = （V
B
-V
S
） = 15 V.牛逼
A
= 25℃ ，除非另有规定。在V
IN
我
IN
参数是参考V
SS
并
适用于所有六个通道。在V
CCUV
参数是参考V
SS
。在V
BSUV
参数是参考V
S
.
符号
BV
DSS
I
LKH
I
LKL
R
DS （ ON）
V
IN， TH +
V
IN， TH-
V
CCUV + ，
V
BSUV +
V
CCUV- ，
V
BSUV-
V
CCUVH ，
V
BSUVH
I
QBS
I
QCC
I
QCC ，ON
I
IN +
I
IN-
I
TRIP +
I
TRIP-
V
IT， TH +
V
IT， TH-
描述
漏极至源极击穿电压
高侧FET在泄漏电流
并行
低边FET在泄漏电流
同时加上栅极驱动IC
漏极至源极导通电阻
正向输入阈值
负向输入阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压，
正向阈值
V
CC
和V
BS
电源欠压，
负门槛
V
CC
和V
BS
电源欠压
锁定迟滞
静态V
BS
电源电流V
IN
=0V
静态V
CC
电源电流V
IN
=0V
静态V
CC
电源电流V
IN
=4V
输入偏置电流V
IN
=4V
输入偏置电流V
IN
=0V
I
旅
偏置电流V
ITRIP
=4V
I
旅
偏置电流V
ITRIP
=0V
I
旅
阈值电压
I
旅
阈值电压
---
2.5
---
8
7.4
---
---
---
---
---
---
---
---
0.37
---
民
500
典型值
---
10
15
1.85
---
---
8.9
8.2
0.7
---
---
---
100
--
5
--
0.46
0.4
2.2
---
0.8
9.8
9
---
125
3.35
10
160
1
40
1
0.55
---
最大
---
单位
V
A
A
Ω
V
V
V
V
V
A
mA
mA
A
A
A
A
V
V
条件
T
J
= 25 ° C，I
LK
=250A
T
J
= 25 ° C，V
DS
=500V
T
J
= 25 ° C，V
DS
=500V
T
J
= 25 ° C，V
CC
= 15V ，ID = 1A
o
3
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2013年2月3日
IRSM836-035MA
V
IT， HYS
R
BR
V
RCIN ， TH
R
ON ， FAULT
I
旅
输入滞后
内部自举等效电阻
价值
RCIN正向阈值
FAULT漏极开路电阻
---
---
---
---
0.06
200
8
50
---
---
---
100
V
Ω
V
Ω
T
J
=25°C
注4 ：特点，而不是在生产测试
动态电气特性
(V
CC
-COM ） = （V
B
-V
S
） = 15 V.牛逼
A
= 25℃ ，除非另有规定。
符号
T
ON
T
关闭
T
FIL ，IN
T
FIL ， EN
T
BLT- ITRIP
T
故障
T
EN
T
ITRIP
描述
输入到输出的传播开启
延迟时间
输入到输出的传播关断
延迟时间
输入滤波时间（ HIN ， LIN ）
输入滤波时间（ EN ）
I
旅
消隐时间
ITRIP到故障
EN下降到开关管的关
I
旅
以开关关断传播延迟
---
民
---
---
200
100
100
---
典型值
0.7
0.7
330
200
330
600
700
950
1000
1000
1300
最大
1.5
1.5
---
---
单位
s
s
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
IN
= 0 & V
IN
=4V
V
IN
= 0 & V
IN
=4V
V
IN
= 0 & V
IN
=4V, V
I /旅行
=5V
V
IN
= 0 & V
IN
=4V
V
IN
= 0 & V
IN
=4V
I
D
= 1A ，V = 50V ，如图3
+
o
条件
I
D
= 1mA时， V = 50V
见图2
+
MOSFET雪崩特性
符号
EAS
描述
单脉冲雪崩能量
民
---
典型值
150
最大
---
单位
mJ
条件
T
J
= 25 ° C，L = 93mH ， VDD = 150V ，
I
TEST
= 1.8A ， TO-220封装
热和机械特性
符号
R
第（J- CT）的
R
日（ J- CB ）
描述
总热阻结到
外壳顶部
总热阻结到
外壳底部
民
---
---
典型值
27.4
2.2
最大
---
---
单位
° C / W
° C / W
条件
一台设备
一台设备
4
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2013年2月3日
IRSM836-035MA
QUALI科幻阳离子信息
资质等级
湿度敏感度等级
机器型号
ESD
人体模型
2级
（每标准ESDA / JEDEC JS- 001-2012 ）
是的
产业
（每JEDEC JESD 47E ）
MSL3
（根据IPC / JEDEC J -STD- 020C ）
B类
（根据JEDEC标准JESD22- A115 ）
符合RoHS
资格标准可在国际整流器公司的网站上找到
http://www.irf.com/
高学历额定值可应用户有这样的需求。请联系
您的国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
更高的MSL额定值可为这里列出的特定封装类型。请联系您
国际整流器公司的销售代表以获取更多信息。
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2013国际整流器
2013年2月3日
QQ：2880707522 复制
