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IRSM836-035MA
PCB示例
下面的图7示出了用于应用PCB的示例性布局。所述V +的顶层的有效面积
铜面 3cm在这个例子中。对于FR4 PCB板盎司镀铜，R
号（j -a）的
为约40℃ / W 。较低的
号（j -a）的
可以使用较厚的铜和/或附加的层来实现。
模块
图7：
PCB布局实例和相应的热图像
在该模块的典型操作条件下，相节点电压的dV / dt是由负载的影响
电容，其包括印刷电路板的寄生电容， MOSFET输出电容和电动机绕组
电容。以关断MOSFET ，负载电容需要由相电流进行充电。对于
IRMCS1171参考设计，关断的dV / dt的范围从2至5V / ns的依赖于相电流幅值。
开启的dV / dt是由PCB的寄生电容和电机绕组电容的影响，一般为
从4至6 V /纳秒。结合免费的体二极管的反向恢复损耗的MOSFET的导通损耗
包括大部分的总开关损耗。两相调制可以被用来减少开关
损失和在较高的相电流运行的模块。
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2013国际整流器
2013年2月3日
