FDMS7608S双N沟道PowerTrench
MOSFET
典型特征（ Q1 N沟道）
T
J
= 25 ° C除非另有说明
10
V
GS
，门源电压（ V）
I
D
= 12 A
2000
1000
C
国际空间站
8
V
DD
= 10 V
6
4
2
V
DD
= 15 V
电容（pF）
C
OSS
V
DD
=
20 V
100
C
RSS
F = 1 MHz的
V
GS
= 0 V
0
0
3
6
9
12
15
18
Q
g
，栅极电荷（ NC）
10
0.1
1
10
30
V
DS
，漏源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.电容VS漏
至源极电压
50
I
D
,
漏电流（ A）
30
I
AS
，雪崩电流（ A）
40
30
V
GS
= 10 V
10
T
J
= 25
o
C
T
J
= 100
o
C
o
C
20
不限按包
T
J
= 125
V
GS
= 4.5 V
10
0
25
R
θ
JC
= 4.0 C / W
o
1
0.001
0.01
0.1
1
10
50
50
75
100
o
125
150
t
AV
，一次雪崩（毫秒）
T
C
,
外壳温度
(
C
)
图9.松开电感
交换能力
图10.最大连续漏极
电流与外壳温度
100
P
(
PK
)
，瞬态峰值功率（ W）
1000
单脉冲
R
θ
JA
= 125℃ / W
o
I
D
，漏电流（ A）
10
100
μ
s
1毫秒
100
1
这个区域是
限于由R
DS
(
on
)
10毫秒
100毫秒
1s
10s
DC
10
0.1
单脉冲
T
J
=最大额定
R
θ
JA
= 125
o
C / W
T
A
= 25
o
C
1
0.5
-4
10
10
-3
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
10
-2
10
-1
1
10
100
1000
V
DS
，漏源极电压（ V）
T，脉冲宽度（秒）
图11.正向偏置安全
工作区
图12.单脉冲最大
功耗
2011仙童半导体公司
FDMS7608S Rev.C
5
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