FDMS7608S双N沟道PowerTrench
MOSFET
电气特性
T
J
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
测试条件
TYPE
民
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
ΔBV
DSS
ΔT
J
I
DSS
I
GSS
漏源击穿电压
击穿电压温度
系数
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
I
D
= 250
μA,
V
GS
= 0 V
I
D
= 1毫安， V
GS
= 0 V
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
13
19
1
500
100
100
V
毫伏/°C的
μA
nA
nA
基本特征
V
GS （ TH）
ΔV
GS （ TH）
ΔT
J
门源阈值电压
门源阈值电压
温度COEF网络cient
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250
μA
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1毫安
I
D
= 250
μA,
参考25 ℃下
I
D
= 10毫安，引用至25℃
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 12 A，T
J
= 125°C
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 13 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 125°C
V
DD
= 5 V，I
D
= 12 A
V
DD
= 5 V，I
D
= 15 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
1.2
1.2
1.9
1.7
-6
-4
7.4
10.0
10.3
4.8
6.0
6.6
54
76
10.0
13.6
13.9
6.3
7.2
8.6
3.0
3.0
V
毫伏/°C的
r
DS （ ON）
静态漏极至源极导通电阻
mΩ
Q2
Q1
Q2
g
FS
正向跨导
S
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
Q1:
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
Q2:
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
0.2
0.2
1135
1380
390
478
42
60
1.6
0.5
1510
1835
520
635
65
90
3.2
2.0
pF
pF
pF
Ω
开关特性
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ TOT ）
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
总栅极电荷
门源费
栅漏“米勒”充电
V
GS
= 0V至10V
V
GS
= 0V到5V
Q1
V
DD
= 15 V,
I
D
= 12 A
Q2
V
DD
= 15 V,
I
D
= 15 A
Q1
V
DD
= 15 V，I
D
= 12 A，R
根
= 6
Ω
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
7
7
3
3
19
20
3
2
18
21
9
12
3.6
3.5
2.5
3.0
14
14
10
10
35
36
10
10
24
30
14
16
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
Q2
V
DD
= 15 V，I
D
= 15 A，R
根
= 6
Ω
2011仙童半导体公司
FDMS7608S Rev.C
2
www.fairchildsemi.com
