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IRF5851PbF
P沟道
500
400
-V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
GD ，
C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
10
I
D
=
-2.2A
V
DS
=-16V
V
DS
=-10V
C，电容（pF ）
西塞
300
8
6
200
4
100
科斯
CRSS
2
0
1
10
100
0
0
2
4
6
8
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图20 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图21 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
10
100
-I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域有限
由R
DS （ ON）
T
J
= 150
°
C
-I
D
，漏电流（ A）
I
10
100us
1
1
1ms
T
J
= 25
°
C
10ms
0.1
0.4
V
GS
= 0 V
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.1
0.1
T
A
= 25 ° C
T
J
= 150 ° C
单脉冲
1
10
100
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图22 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图23 。
最大安全工作区
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