【PD-95341AIRF5851PbFHEXFET功率MOSFETlllllll超低导通电阻双N和P】,IC型号IRF5851TRPBF,IRF5851TRPBF PDF资料,IRF5851TRPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD-95341A

IRF5851PbF

HEXFET

功率MOSFET

超低导通电阻

双N和P沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

低栅电荷

LEAD -FREE

无卤

N沟道

P沟道

-20V

DSS

20V

DS （ ON）

0.090 0.135

描述

国际整流器这些N和P沟道MOSFET采用先进的

处理技术，以实现非常低的导通电阻的每个硅

区。这样做的好处为设计者提供了一个非常有效的装置

在电池和负载管理应用程序使用。

这双TSOP -6封装，非常适合在那里印刷电路应用

电路板空间非常珍贵，并在那里最大的功能是必需的。

每个套餐二模， IRF5851可提供两种功能

SOT -23在一个更小的占位面积封装。它独特的散热设计和

DS （ ON）

还原能增加电流处理能力。

TSOP-6

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 70°C

= 25°C

= 70°C

英镑

漏极至源极电压

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

结温和存储温度范围

马克斯。

N沟道

2.7

2.2

0.96

0.62

7.7

± 12

-55到+ 150

P沟道

-20

-2.2

-1.7

-9.0

单位

毫瓦/°C的

°C

热阻

参数

θJA

最大结点到环境

典型值。

–––

马克斯。

130

单位

° C / W

www.irf.com

04/20/10

IRF5851PbF

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N-P

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

分钟。典型值。马克斯。

—

-20 —

—

— 0.016 —

— -0.011 —

—

— 0.090

—

— 0.120

—

— 0.135

—

— 0.220

0.60 — 1.25

-0.45 — -1.2

5.2 —

—

3.5 —

—

— 1.0

—

— -1.0

—

— -25

––

— ±100

— 4.0 6.0

— 3.6 5.4

— 0.95 —

— 0.66 —

— 0.83 —

— 5.7 —

— 6.6 —

— 8.3 —

— 1.2 —

—

— 2.4 —

—

— 400 —

— 320 —

—

单位

V /°C的

条件

= 0V时，我

= 250A

= 0V时，我

= -250A

参考至25℃ ，我

= 1毫安

参考至25℃ ，我

= -1mA

= 4.5V ，我

= 2.7A

= 2.5V ，我

= 2.2A

= -4.5V ，我

= -2.2A

= -2.5V ，我

= -1.7A

= V

, I

= 250A

= V

, I

= -250A

= 10V ，我

= 2.7A

= -10V ，我

= -2.2A

= 16 V, V

= 0V

= -16V, V

= 0V

= 16 V, V

= 0V ，T

= 70°C

= -16V, V

= 0V ，T

= 70°C

= ± 12V

N沟道

= 2.7A ，V

= 10V, V

= 4.5V

P沟道

= -2.2A ，V

= -10V, V

= -4.5V

N沟道

= 10V ，我

= 1.0A ，R

= 6.2,

= 4.5V

P沟道

= -10V ，我

= -1.0A ，R

= 6.0,

= -4.5V

N沟道

= 0V, V

= 15V ， = 1.0MHz的

P沟道

= 0V, V

= -15V ， = 1.0MHz的

（ BR ） DSS

击穿电压温度。系数

源极 - 漏极额定值和特性

参数

连续源电流（体二极管）

脉冲源电流（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

N沟道

P沟道

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

—

— 0.96

—

— -0.96

—

— -9.0

—

— 1.2

= 25 ° C，I

= 0.96A ，V

= 0V

—

— -1.2

= 25 ° C，I

= -0.96A ，V

= 0V

—

N沟道

—

= 25 ° C，I

= 0.96A ，的di / dt = 100A / μs的

— 6.5 9.8

P沟道

= 25 ° C，I

= -0.96A ，的di / dt = -100A / μs的

— 7.7 12

注意事项：

重复评价;脉冲宽度有限的

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

表面安装在FR- 4电路板，T

≤

10sec.

最大。结温。（参见图10 & 26）

www.irf.com

N沟道

100

VGS

7.5V

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

1.75V

BOTTOM 1.5V

顶部

IRF5851PbF

VGS

7.5V

4.5V

3.5V

3.0V

2.5V

2.0V

1.75V

BOTTOM 1.5V

顶部

100

，漏极 - 源极电流（A ）

1.50V

20μs的脉冲宽度

= 25

100

0.1

20μs的脉冲宽度

= 150

100

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.0

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

= 2.7A

，漏极 - 源极电流（A ）

= 25

= 150

1.5

1.0

0.5

0.1

1.5

V DS = 15V

20μs的脉冲宽度

2.0

2.5

3.0

，栅 - 源极电压（ V）

0.0

-60 -40 -20

= 4.5V

80 100 120 140 160

，结温（

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

IRF5851PbF

N沟道

600

500

，栅 - 源极电压（ V）

= 0V,

F = 1MHz的

国际空间站

= C

+ C

GD ，

短

RSS

= C

OSS

= C

+ C

2.7A

= 16V

= 10V

C，电容（pF ）

400

西塞

300

200

100

科斯

CRSS

100

，漏极至源极电压（ V）

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

，漏电流（ A）

100us

= 150

1ms

= 25

= 0 V

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

10ms

0.1

0.4

，源极到漏极电压（V ）

0.1

= 25 °C

= 150 °C

单脉冲

100

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

www.irf.com

N沟道

3.0

IRF5851PbF

2.5

，漏电流（ A）

4.5V

脉冲宽度

≤ 1

占空比

≤ 0.1 %

D.U.T.

2.0

1.5

1.0

图10A 。

开关时间测试电路

0.5

0.0

90%

，外壳温度（ ° C）

100

125

150

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

10%

D（上）

D（关闭）

图10B 。

开关时间波形

1000

热响应（Z

thJA

)

100

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

注意事项：

1.负载因数D = T

/ t

2.峰值牛逼

= P

X Z

thJA

+ T

0.0001

0.001

0.01

0.1

0.00001

，矩形脉冲持续时间（秒）

图10 。

典型的有效瞬态热阻抗，结到环境