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EDE1104AASE ， EDE1108AASE
对于正确的操作调整模式下， WL = RL
1 = AL + CL
1时钟和TDS / TDH应满足作为输出
阻抗控制寄存器设置周期。对于输入要求调整数据模式， DT0到DT3是一个固定的顺序，而不是
受MRS寻址模式（即顺序或交织） 。
/ CK
CK
命令
EMRS
WL
NOP
tWR的
EMRS
NOP
DQS ， / DQS
TDS TDH
DQ_in
DT0
OCD调整模式
DT1
DT2
DT3
OCD校准模式退出
输出阻抗控制寄存器设定周期
驱动模式
驱动模式下，两个驱动器（1）和驱动器（0），用于控制器之前测量的DDR2 SDRAM驱动阻抗
OCD阻抗调整。在这种模式下，所有的输出都赶出TOIT “进入驱动模式”命令后，所有
输出驱动器关断TOIT “ OCD校准模式退出”命令，在“输出阻抗后
测试/验证周期“ 。
/ CK
CK
命令
EMRS
NOP
EMRS
高-Z
DQS ， / DQS
的DQ高和/ DQS低电平驱动装置（1 ） ，低的DQ和/ DQS的高驱动器（0）
高-Z
的DQ高驱动器（ 1 ）
DQ
TOIT
的DQ低电平驱动器（ 0 ）
TOIT
进入DRIVEMODE
OCD校准模式退出
输出阻抗测试/验证周期
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
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