数据表
1G位DDR2 SDRAM
EDE1104AASE （ 256M词
×
4比特）
EDE1108AASE （ 128M词
×
8比特）
描述
该EDE1104AASE是1G位DDR2 SDRAM
组织为33554432字
×
4位
×
8家银行。
该EDE1108AASE是1G位DDR2 SDRAM
组织为16777216字
×
8位
×
8家银行。
它们被包装在68球FBGA （ μBGA
）封装。
特点
电源： VDD ， VDDQ
=
1.8V
±
0.1V
双倍数据速率的架构：每两次数据传输
时钟周期
双向，差分数据选通（ DQS和
/ DQS ）被发送/与数据接收的，所用
在接收器采集数据
DQS是边沿与数据一致的内容如下：中心 -
与写入的数据一致
差分时钟输入（ CK和/ CK ）
DLL对齐DQ和DQS转换与CK
TRANSITIONS
命令中输入的每个正CK边缘：数据
和数据掩码参考DQS的两个边缘
8个内部银行的并发操作
数据掩码（DM）写入数据
突发长度： 4,8
/ CAS延迟（CL） ： 3 ，4，5
对于每一个突发访问自动预充电操作
自动刷新和自刷新模式
平均更新周期
7.8μs在0℃下
≤
TC
≤ +85°C
在3.9μs
+ 85°C <
TC
≤ +95°C
SSTL_18兼容的I / O
通过可编程附加延迟中科院发布
更好的命令和数据总线效率
片外驱动器阻抗调整和在复模机
终止更好的信号质量
可编程RDQS ， / RDQS输出制作
×
8
组织相容
×
4机构
/ DQS （ / RDQS ）可用于单端被禁用
数据选通操作。
FBGA （ μBGA ）封装无铅焊料
（锡 - 银 - 铜）
一号文件E0404E20 （版本2.0 ）
发布日期2005年4月（K ）日本
日本印刷
网址： http://www.elpida.com
Elpida
内存方面，公司2003-2005年
EDE1104AASE ， EDE1108AASE
订购信息
产品型号
EDE1104AASE-6E-E
EDE1104AASE-5C-E
EDE1104AASE-4A-E
EDE1108AASE-6E-E
EDE1108AASE-5C-E
EDE1108AASE-4A-E
面膜
VERSION
A
组织
（字
×
位）
256M
×
4
国内
银行
8
速度斌
（ CL - tRCD的-TRP ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR2-400 （ 3-3-3 ）
DDR2-667 （ 5-5-5 ）
DDR2-533 （ 4-4-4 ）
DDR2-400 （ 3-3-3 ）
包
68球FBGA （ μBGA ）
128M
×
8
产品型号
D E 11 04 A A SE - 6E - é
尔必达内存
TYPE
D：单片器件
产品系列
E： DDR2
环境法规
E：无铅
密度/银行
11 ：1GB / 8银行
组织
04: x4
08: x8
电源，接口
答： 1.8V ， SSTL_18
速度
6E ： DDR2-667 （ 5-5-5 ）
5C ： DDR2-533 （ 4-4-4 ）
4A ： DDR2-400 （ 3-3-3 ）
包
SE ： FBGA （ μBGA与封底）
牧师死亡
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
2
EDE1104AASE ， EDE1108AASE
销刀豆网络gurations
/ xxx表示低电平有效的信号。
68球FBGA （ μBGA ）
(×8,
×4
组织）
1
A
2
NC
3
7
8
NC
9
NC
NC
B
C
D
E
VDD
NU / / RDQS
VSS
（ NC ） *
VSSQ
/ DQS
VDDQ
的DQ
VDDQ
DQ2
VSSDL
/ RAS
/ CAS
A2
A6
A11
NC
VSSQ
DQ0
VSSQ
CK
/ CK
/ CS
A0
A4
A8
A13
VSS
（ NC ） *
F
G
DQ6
DM / RDQS
（ NC ） *
VSSQ
（DM） *
VDDQ
DQ1
VDDQ
VSSQ
DQ3
VSS
/ WE
BA1
A1
A5
A9
NC
DQ7
VDDQ
（ NC ） *
H
J
（ NC ） *
DQ4
DQ5
VDDL
VREF
K
VDD
ODT
CKE
L
BA2
M
BA0
A10
VDD
N
VSS
P
A3
A7
R
VDD
T
U
V
W
NC
A12
NC
NC
NC
（ TOP VIEW ）
注： （ ） *标记的管脚是
×4
组织。
引脚名称
A0到A13
BA0 ， BA1 ， BA2
DQ0到DQ7
DQS ， / DQS
RDQS ， / RDQS
/ CS
/ RAS ， / CAS ， / WE
CKE
CK ， / CK
DM
功能
地址输入
BANK SELECT
数据输入/输出
差分数据选通信号
差分数据选通信号读
芯片选择
命令输入
时钟使能
差分时钟输入
写数据面膜
引脚名称
ODT
VDD
VSS
VDDQ
VSSQ
VREF
VDDL
VSSDL
NC *
NU *
1
2
功能
ODT控制
电源电压为内部电路
地上的内部电路
电源电压为DQ电路
地面DQ电路
输入参考电压
电源电压为DLL电路
地面的DLL电路
无连接
不可用
注意事项： 1.不与内部芯片连接。
2.不要使用除保留功能。
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
3
EDE1104AASE ， EDE1108AASE
目录
Description.....................................................................................................................................................1
Features.........................................................................................................................................................1
订购Information......................................................................................................................................2
产品型号..................................................................................................................................................2
引脚配置.........................................................................................................................................3
电动Specifications.................................................................................................................................5
框图.............................................................................................................................................15
针Function.................................................................................................................................................16
命令操作...................................................................................................................................18
简化的状态图.............................................................................................................................25
DDR2 SDRAM的操作........................................................................................................................26
包装图........................................................................................................................................62
推荐焊接Conditions..........................................................................................................63
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
4
EDE1104AASE ， EDE1108AASE
电气规格
所有电压参考VSS （ GND）
正确的设备运行达到之前执行开机和初始化序列。
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电压输出
输入电压
输出电压
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
VDD
VDDQ
VIN
VOUT
TSTG
PD
IOUT
等级
1.0
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
0.5
到2.3
55
+100
1.0
50
单位
V
V
V
V
°C
W
mA
笔记
1
1
1
1
1, 2
1
1
注意事项： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的损坏
该设备。这是一个额定值，设备的功能操作在这些或任何其他
超出本规范的业务部门所标明的条件是不是暗示。曝光
在绝对最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2.储存温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
小心
该设备暴露在压力超过上述绝对最大额定值可能会导致
永久性损坏。该装置并不意味着超出限制的条件下操作
在本说明书中的操作部分中描述。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。
工作温度条件
参数
工作温度
符号
TC
等级
0至+95
单位
°C
笔记
1, 2
注意事项： 1.工作温度在DRAM中心/顶侧的情况下表面温度。
2.支持0 ° C至+ 85°C ，带AC和DC规格。
支持0 ° C至+ 85°C ，并能扩展到+ 95°C ，在加倍自动刷新命令
频率为32ms的周期（ tREFI = 3.9μs ），并经由A7 "1"于较高温度的自刷新进入
EMRS （2） 。
数据表E0404E20 （版本2.0 ）
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